[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示面板

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910151043.2
• 申請(qǐng)日: 2019-02-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109860109A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-06-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡泉;李松杉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基板；

在所述基板上形成緩沖層；

在所述緩沖層上形成圖案化的第一非晶硅層，所述第一非晶硅層包括多個(gè)間隔設(shè)置的分隔體；

在形成有所述第一非晶硅層的所述緩沖層上形成第二非晶硅層；

采用準(zhǔn)分子鐳射退火對(duì)所述第一非晶硅層和所述第二非晶硅層進(jìn)行處理，以形成對(duì)應(yīng)的第一多晶硅層和第二多晶硅層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述采用準(zhǔn)分子鐳射退火對(duì)所述第一非晶硅層和所述第二非晶硅層進(jìn)行處理，以形成對(duì)應(yīng)的第一多晶硅層和第二多晶硅層的步驟之后，還包括：

對(duì)所述第二多晶硅層進(jìn)行摻雜，形成溝道區(qū)和位于所述溝道區(qū)兩側(cè)的摻雜區(qū)，其中，所述溝道區(qū)位于所述分隔體上，且所述溝道區(qū)在所述基板上的投影區(qū)域與所述分隔體在所述基板上的投影區(qū)域重疊。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述對(duì)所述第二多晶硅層進(jìn)行摻雜，形成溝道區(qū)和位于所述溝道區(qū)兩側(cè)的摻雜區(qū)的步驟，具體包括：

在所述第二多晶硅層上形成柵絕緣層；

經(jīng)過(guò)所述柵絕緣層對(duì)所述第二多晶硅層進(jìn)行離子注入，形成所述溝道區(qū)和所述摻雜區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在所述形成所述溝道區(qū)和所述摻雜區(qū)的步驟之后，還包括：

在所述柵絕緣層上形成柵極，所述柵極位于所述溝道區(qū)的上方，且所述柵極在所述基板上的投影區(qū)域與所述摻雜區(qū)在所述基板上的投影區(qū)域部分重疊；

在形成有所述柵極的所述柵絕緣層上形成介電層；

在所述介電層上形成源漏極層，所述源漏極層包括源極和漏極，所述源極和所述漏極相對(duì)設(shè)置于所述溝道區(qū)兩側(cè)的所述摻雜區(qū)的上方。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述緩沖層上形成圖案化的第一非晶硅層的步驟，具體包括：

在所述緩沖層上沉積第一非晶硅層；

通過(guò)刻蝕將所述第一非晶硅層分割成多個(gè)間隔設(shè)置的所述分隔體。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述分隔體的厚度與所述第二非晶硅層的厚度之比為0.1～0.25。

7.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

基板；

緩沖層，所述緩沖層設(shè)置于所述基板上；

圖案化的第一多晶硅層，所述第一多晶硅層設(shè)置于所述緩沖層上，所述第一多晶硅層包括多個(gè)間隔設(shè)置的分隔體；

第二多晶硅層，所述第二多晶硅層設(shè)置于所述緩沖層上，且覆蓋所述第一多晶硅層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二多晶硅層包括溝道區(qū)和位于所述溝道區(qū)兩側(cè)的摻雜區(qū)，其中，所述溝道區(qū)位于所述分隔體上，且所述溝道區(qū)在所述基板上的投影區(qū)域與所述分隔體在所述基板上的投影區(qū)域重疊。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括：

柵絕緣層，所述柵絕緣層設(shè)置于所述第二多晶硅層上；

柵極，所述柵極設(shè)置于所述柵絕緣層上，所述柵極位于所述溝道區(qū)的上方，且所述柵極在所述基板上的投影區(qū)域與所述摻雜區(qū)在所述基板上的投影區(qū)域部分重疊；

介電層，所述介電層設(shè)置于所述柵絕緣層上且覆蓋所述柵極；

源漏極層，所述源漏極層包括源極和漏極，所述源極和所述漏極相對(duì)設(shè)置于所述溝道區(qū)兩側(cè)的所述摻雜區(qū)的上方。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求7-9任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管。