[發明專利]半導體器件的測試電路及測試方法

在審

• 申請號: 201910150767.5
• 申請日: 2019-02-28
• 公開（公告）號: CN109860150A
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發明（設計）人: 柯天麒;蘇鳳梅;湯茂亮
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;H01L23/60;H01L21/66
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 武振華;吳敏

一種半導體器件的測試電路及測試方法，所述半導體器件具有柵極，所述測試電路包括：保護器件，所述保護器件的第一端接地；連接器件，所述連接器件的第一端與所述柵極耦接，第二端與所述保護器件的第二端耦接，所述連接器件用于提供所述保護器件與所述柵極之間的連接通路；電源，與所述柵極耦接，用于在上電時向所述連接器件提供關斷電壓，以使所述連接通路從導通接切換至關斷。本發明方案可以避免保護器件對測試結果的影響。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種半導體器件的測試電路及測試方法。

背景技術

在半導體器件的制造過程中，需要對半導體器件進行保護，例如采用保護二極管避免等離子體損壞(Plasma Damage)。

具體而言，以所述半導體器件為金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor，MOSFET)器件為例，通常在制造過程中，需要采用離子注入工藝，向MOSFET器件的柵極(Gate)注入離子，此時容易由于離子殘留而形成離子損傷。

在現有技術中，存在一種在制造過程中添加保護器件，例如添加保護二極管(Protection Diode)，以排出多余的注入離子的方法，然而在對該半導體器件進行測試時，所述保護二極管容易形成漏電流(Leakage)，導致測試結果受到影響。

亟需一種半導體器件的測試電路及測試方法，降低所述保護器件對測試結果的影響。

發明內容

本發明解決的技術問題是提供一種半導體器件的測試電路及測試方法，可以避免保護器件對測試結果的影響。

為解決上述技術問題，本發明實施例提供一種半導體器件的測試電路，所述半導體器件具有柵極，所述測試電路包括：保護器件，所述保護器件的第一端接地；連接器件，所述連接器件的第一端與所述柵極耦接，第二端與所述保護器件的第二端耦接，所述連接器件用于提供所述保護器件與所述柵極之間的連接通路；電源，與所述柵極耦接，用于在上電時向所述連接器件提供關斷電壓，以使所述連接通路從導通接切換至關斷。

可選的，所述連接器件選自耗盡型MOS器件以及熔絲。所述耗盡型MOS器件包括耗盡型NMOS器件以及耗盡型PMOS器件；所述熔絲包括金屬熔絲、多晶硅熔絲以及電可編程熔絲。

可選的，所述半導體器件選自：MOSFET器件、FinFET器件、TFET器件以及OFET器件。

可選的，所述MOSFET器件選自：耗盡型NMOS器件、耗盡型PMOS器件、增強型NMOS器件以及增強型PMOS器件。

可選的，所述電源為可調電源，且用于向所述半導體器件提供測試電壓。

為解決上述技術問題，本發明實施例提供一種所述半導體器件具有柵極，測試電路包括：保護器件，所述保護器件的第一端接地；連接器件，所述連接器件的第一端與所述柵極耦接，第二端與所述保護器件的第二端耦接，所述連接器件用于提供所述保護器件與所述柵極之間的連接通路；所述測試方法包括：向所述連接器件提供關斷電壓，且所述關斷電壓的絕對值大于預設閾值，以使所述連接通路從導通接切換至關斷；向所述半導體器件的柵極提供測試電壓，以對所述半導體器件進行測試。

可選的，所述連接器件選自耗盡型MOS器件以及熔絲。

可選的，所述連接器件為耗盡型NMOS器件，向所述連接器件提供關斷電壓，且所述關斷電壓的絕對值大于預設閾值，以使所述連接器件從連通變為關斷包括：向所述耗盡型NMOS器件提供負電壓，且所述負電壓的絕對值大于預設閾值，以使所述耗盡型NMOS器件關斷。