[發明專利]半導體器件的測試電路及測試方法

在審

• 申請號: 201910150767.5
• 申請日: 2019-02-28
• 公開（公告）號: CN109860150A
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發明（設計）人: 柯天麒;蘇鳳梅;湯茂亮
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;H01L23/60;H01L21/66
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 武振華;吳敏

1.一種半導體器件的測試電路，其特征在于，所述半導體器件具有柵極，所述測試電路包括：

保護器件，所述保護器件的第一端接地；

連接器件，所述連接器件的第一端與所述柵極耦接，第二端與所述保護器件的第二端耦接，所述連接器件用于提供所述保護器件與所述柵極之間的連接通路；

電源，與所述柵極耦接，用于在上電時向所述連接器件提供關斷電壓，以使所述連接通路從導通接切換至關斷。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的測試電路，其特征在于，所述連接器件選自耗盡型MOS器件以及熔絲。

3.根據權利要求2所述的半導體器件的測試電路，其特征在于，

所述耗盡型MOS器件包括耗盡型NMOS器件以及耗盡型PMOS器件；

所述熔絲包括金屬熔絲、多晶硅熔絲以及電可編程熔絲。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的測試電路，其特征在于，所述半導體器件選自：MOSFET器件、FinFET器件、TFET器件以及OFET器件。

5.根據權利要求4所述的半導體器件的測試電路，其特征在于，所述MOSFET器件選自：耗盡型NMOS器件、耗盡型PMOS器件、增強型NMOS器件以及增強型PMOS器件。

6.根據權利要求1所述的半導體器件的測試電路，其特征在于，所述電源為可調電源，且用于向所述半導體器件提供測試電壓。

7.一種半導體器件的測試方法，其特征在于，所述半導體器件具有柵極，測試電路包括：保護器件，所述保護器件的第一端接地；連接器件，所述連接器件的第一端與所述柵極耦接，第二端與所述保護器件的第二端耦接，所述連接器件用于提供所述保護器件與所述柵極之間的連接通路；

所述測試方法包括：

向所述連接器件提供關斷電壓，且所述關斷電壓的絕對值大于預設閾值，以使所述連接通路從導通切換至關斷；

向所述半導體器件的柵極提供測試電壓，以對所述半導體器件進行測試。

8.根據權利要求7所述的半導體器件的測試方法，其特征在于，所述連接器件選自耗盡型MOS器件以及熔絲。

9.根據權利要求8所述的半導體器件的測試方法，其特征在于，所述連接器件為耗盡型NMOS器件，向所述連接器件提供關斷電壓，且所述關斷電壓的絕對值大于預設閾值，以使所述連接器件從連通變為關斷包括：

向所述耗盡型NMOS器件提供負電壓，且所述負電壓的絕對值大于預設閾值，以使所述耗盡型NMOS器件關斷。

10.根據權利要求8所述的半導體器件的測試方法，其特征在于，所述連接器件為耗盡型PMOS器件，向連接器件提供關斷電壓，且所述關斷電壓的絕對值大于預設閾值，以使所述連接器件從連通變為關斷包括：

向所述耗盡型PMOS器件提供正電壓，且所述正電壓的絕對值大于預設閾值，以使所述耗盡型PMOS器件關斷。

11.根據權利要求8所述的半導體器件的測試方法，其特征在于，所述連接器件為熔絲，向連接器件提供關斷電壓，且所述關斷電壓的絕對值大于預設閾值，以使所述連接器件從連通變為關斷包括：

向所述熔絲提供正電壓，且所述正電壓的絕對值大于預設閾值，以使所述熔絲關斷；

或者，

向所述熔絲提供負電壓，且所述負電壓的絕對值大于預設閾值，以使所述熔絲關斷。