[發明專利]被加工物的磨削方法

在審

• 申請號: 201910150730.2
• 申請日: 2019-02-28
• 公開（公告）號: CN110233100A
• 公開（公告）日: 2019-09-13
• 發明（設計）人: 廣澤俊一郎
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 于靖帥;黃綸偉

提供被加工物的磨削方法，在對被加工物進行磨削的情況下，即使不去除被加工物的外周部也能夠抑制邊緣崩邊及晶片裂痕的產生。該磨削方法包含：利用保護部件(T)覆蓋被加工物(W)的正面(Wa)的工序；從被加工物的背面(Wb)側在比外周緣(Wd)靠內側規定的距離的位置沿著外周緣呈圓形照射對于被加工物具有透過性的激光而形成變質層(M)的工序；利用工作臺(70)來保持形成有變質層的被加工物的保護部件的工序；磨削被加工物的背面而使被加工物形為完工厚度，并且在被加工物的厚度到達變質層的時刻以沿著外周緣形成的變質層為起點將被加工物分割成內周部(W1)和外周部(W2)的工序，通過在背面磨削中途將被加工物分割成內周部和外周部，防止崩邊和裂痕傳播到內周部的器件區域(Wa1)。

技術領域

本發明涉及對半導體晶片等被加工物進行磨削的方法。

背景技術

在半導體器件制造工序中，在圓板形狀的被加工物的正面上利用呈格子狀形成的被稱為間隔道的分割預定線劃分出多個矩形區域，在該矩形區域分別形成器件電路。通過沿著分割預定線對以這種方式形成有多個器件的被加工物進行分割，形成各個半導體芯片。并且，為了實現半導體芯片的小型化及輕量化，通常在沿著分割預定線切斷被加工物而使各個矩形區域分離之前，對被加工物的背面進行磨削而薄化為規定的厚度。

在被加工物的正面的外周部的邊緣存在階梯差的情況或被加工物的該邊緣形狀為特殊形狀(例如剖面為尖形狀)的情況下，有時在被加工物的背面磨削中，被加工物的外周部的邊緣產生崩邊或來自邊緣的裂紋朝向內周部伸長而產生晶片裂痕。

作為其對策，已知有如下的磨削方法：在比被加工物的外周緣靠內側規定的距離的位置沿著外周緣呈圓形照射對于被加工物具有透過性的波長的激光光線，將被加工物分割成內周部和圍繞內周部的外周部并將外周部從被加工物去除。然后，進行背面磨削而使被加工物(內周部)形成為預定的完工厚度(例如，參照專利文獻1)。

專利文獻1：日本特開2006-108532號公報

但是，在上述專利文獻1所記載的磨削方法中，由于增加了去除被加工物的外周部的工序，所以會花費時間。另外，由于去除外周部會使被加工物的外徑變小，需要按照與被加工物的外徑一致的大小重新制作在背面磨削工序中保持被加工物的保持部件、將被加工物搬送至保持部件的搬送部件。

發明內容

因此，本發明存在如下的課題：在對被加工物進行磨削的情況下，即使不去除被加工物的外周部，也能夠抑制被加工物的邊緣崩邊及晶片裂痕的產生。

用于解決上述課題的本發明是被加工物的磨削方法，利用磨削磨具對被加工物的背面進行磨削，該被加工物具有在被形成為格子狀的多條分割預定線劃分的區域形成有器件的正面，其中，該被加工物的磨削方法包含如下的工序：正面保護工序，利用正面保護部件覆蓋該被加工物的正面；變質層形成工序，從該被加工物的背面側在比外周緣靠內側規定的距離的位置沿著外周緣呈圓形照射對于被加工物具有透過性的激光光線而形成變質層；保持工序，利用卡盤工作臺對形成有該變質層的該被加工物的正面保護部件進行保持，該卡盤工作臺利用鉛垂方向的旋轉軸來進行旋轉；以及磨削工序，對實施了該保持工序之后的該被加工物的背面進行磨削，使該被加工物形成為芯片的完工厚度，并且在該被加工物的厚度到達該變質層的時刻，以沿著外周緣呈圓形形成的該變質層為起點，將該被加工物分割成內周部和圍繞內周部的外周部，通過在背面磨削中途將該被加工物分割成該內周部和該外周部，防止由被加工物的邊緣引起的崩邊以及裂痕傳播至該內周部的器件區域。

優選上述正面保護部件為粘接帶。