[發明專利]被加工物的磨削方法在審
| 申請號: | 201910150730.2 | 申請日: | 2019-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN110233100A | 公開(公告)日: | 2019-09-13 |
| 發明(設計)人: | 廣澤俊一郎 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帥;黃綸偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 被加工物 磨削 變質層 內周部 外周部 外周緣 保護部件 崩邊 背面 背面磨削 裂痕傳播 器件區域 透過性 分割 工作臺 晶片 裂痕 去除 激光 照射 覆蓋 | ||
1.一種被加工物的磨削方法,利用磨削磨具對被加工物的背面進行磨削,該被加工物具有在被形成為格子狀的多條分割預定線劃分的區域中形成有器件的正面,其特征在于,
該被加工物的磨削方法包含如下的工序:
正面保護工序,利用正面保護部件覆蓋該被加工物的正面;
變質層形成工序,從該被加工物的背面側在比外周緣靠內側規定的距離的位置沿著外周緣呈圓形照射對于被加工物具有透過性的激光光線而形成變質層;
保持工序,利用卡盤工作臺對形成有該變質層的該被加工物的正面保護部件進行保持,該卡盤工作臺利用鉛垂方向的旋轉軸來進行旋轉;以及
磨削工序,對實施了該保持工序之后的該被加工物的背面進行磨削,使該被加工物形成為芯片的完工厚度,并且在該被加工物的厚度到達該變質層的時刻,以沿著外周緣呈圓形形成的該變質層為起點,將該被加工物分割成內周部和圍繞內周部的外周部,
通過在背面磨削中途將該被加工物分割成該內周部和該外周部,防止由被加工物的邊緣引起的崩邊以及裂痕傳播至該內周部的器件區域。
2.根據權利要求1所述的磨削方法,其特征在于,
所述正面保護部件是粘接帶。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





