[發明專利]利用特定波長的光源使物體表面平坦化的方法以及裝置在審
| 申請號: | 201910150264.8 | 申請日: | 2019-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN110400748A | 公開(公告)日: | 2019-11-01 |
| 發明(設計)人: | 姜求鍲;韓日基;權錫俊;金永桓;高炯德;金春槿 | 申請(專利權)人: | 韓國科學技術研究院 |
| 主分類號: | H01L21/3105 | 分類號: | H01L21/3105;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陳英俊 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 平坦化 波長 光源 物體表面 室內部 主腔 蝕刻 表面粗糙度 高輸出化 工藝難度 納米單位 導電率 最小化 劃痕 入射 側面 污染 | ||
1.一種利用特定波長的光源使物體表面平坦化的方法,其特征在于,包括以下步驟:
向主腔室內部提供待平坦化的物體;
向所述主腔室內部注入蝕刻用氣體;
使所述特定波長的光源入射到所述物體的表面;以及
控制所述物體的溫度。
2.根據權利要求1所述的利用特定波長的光源使物體表面平坦化的方法,其特征在于,
所述蝕刻用氣體是Cl2、Br2、CF4、SF6、HBr中的至少一種。
3.根據權利要求2所述的利用特定波長的光源使物體表面平坦化的方法,其特征在于,
所述光源的波長至少根據所述蝕刻用氣體的種類而確定。
4.根據權利要求1所述的利用特定波長的光源使物體表面平坦化的方法,其特征在于,
在控制所述物體的溫度的步驟中,將所述光源入射的物體表面的整體溫度控制成均勻。
5.根據權利要求4所述的利用特定波長的光源使物體表面平坦化的方法,其特征在于,
控制所述物體的溫度的步驟包括:
監視所述物體表面的粗糙度的步驟;以及
根據所述監視的結果,再次控制所述物體的溫度的步驟。
6.根據權利要求5所述的利用特定波長的光源使物體表面平坦化的方法,其特征在于,
控制所述物體的溫度的步驟是,通過與附著有所述物體的加熱板連接的電極進行加熱來實施的。
7.根據權利要求1所述的利用特定波長的光源使物體表面平坦化的方法,其特征在于,
利用光束整形透鏡使所述光源具有均勻分布。
8.根據權利要求1所述的利用特定波長的光源使物體表面平坦化的方法,其特征在于,
所述光源具有可見光波段。
9.根據權利要求1所述的利用特定波長的光源使物體表面平坦化的方法,其特征在于,
所述物體包括由ITO、FTO、ZnO、TiO2、SnO2、AZO以及GZO中的至少一種物質形成的薄膜。
10.根據權利要求9所述的利用特定波長的光源使物體表面平坦化的方法,其特征在于,
使所述特定波長的光源入射到所述物體的表面的步驟持續到薄膜表面的粗糙度因構成所述薄膜的物質的晶粒度減小而再次增加以前。
11.根據權利要求1所述的利用特定波長的光源使物體表面平坦化的方法,其特征在于,
所述物體包含Si、Ⅲ-Ⅳ族化合物半導體、氧化物質或者有機物聚合物。
12.一種利用特定波長的光源使物體表面平坦化的裝置,其特征在于,包括:
主腔室,被提供所述物體;
注入部,用于向所述主腔室內部注入蝕刻用氣體;
光源輸出部,用于射出所述特定波長的光源;以及
溫度控制部,用于控制所述物體的溫度,
所述溫度控制部將所述光源入射的物體表面的整體溫度控制成均勻。
13.根據權利要求12所述的利用特定波長的光源使物體表面平坦化的裝置,其特征在于,
所述溫度控制部包括監視部,在進行所述物體表面的平坦化期間,所述監視部監視所述物體的表面的粗糙度。
14.根據權利要求12所述的利用特定波長的光源使物體表面平坦化的裝置,其特征在于,
進一步包括光束整形透鏡,所述光束整形透鏡用于使所述光源具有均勻分布。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





