[發明專利]基于自適應校準的存儲器預設調節

在審

• 申請號: 201910149651.X
• 申請日: 2019-02-28
• 公開（公告）號: CN110322910A
• 公開（公告）日: 2019-10-11
• 發明（設計）人: P.S.達姆勒;房偉;A.法齊奧
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: G11C7/20
• 分類號: G11C7/20;G11C16/34;G11C29/50
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 鄭瑾彤;申屠偉進

本發明涉及基于自適應校準的存儲器預設調節。一種存儲器設備包括具有多個非易失性存儲器單元的存儲器陣列，所述非易失性存儲器單元將數據存儲為存儲器單元的置位或復位狀態。非易失性存儲器單元可以是基于電阻的存儲器，其基于存儲器單元的電阻狀態來存儲數據。耦合到存儲器陣列的控制器周期性地對存儲器陣列的存儲器單元的置位和復位裕度進行采樣。響應于檢測到裕度變化，該系統可以自適應地調節用于區分置位狀態和復位狀態的預設電氣設置。

技術領域

描述通常涉及存儲器子系統，并且更具體的描述涉及用于基于電阻的存儲器的電氣設置的校準。

背景技術

對與易失性主系統存儲器結合地操作的非易失性存儲器的興趣逐漸增大。易失性存儲器在被中斷到其的電力時具有不確定狀態，而非易失性存儲器即使在被中斷電力時也保持其狀態。非易失性存儲器通常比易失性存儲器訪問起來更慢，傳統的非易失性存儲器具有比易失性系統存儲器慢至少一個數量級的訪問速度。基于電阻的存儲器設備的最新發展提供了非易失性的存儲器，并且具有與易失性存儲器的訪問速度相當的訪問速度，而不會慢上幾個數量級。

基于電阻的非易失性存儲器可能會隨著時間的推移而降級。隨著單元的循環，設備的行為可能改變。特別地，電氣設置特性將在存儲器設備的壽命期間改變，所述電氣設置特性諸如訪問電壓水平或電流。具體的電氣設置與引起期望的訪問所需的值之間存在裕度。那些裕度可能隨時間而漂移，這將導致預設或調整值無效。

附圖說明

下面的描述包括對附圖的討論，其具有作為實施方式的示例給出的說明。附圖應當被作為示例而非作為限制來理解。如在本文中所使用的，對一個或多個“示例”的引用要被理解為描述本發明的至少一個實施方式中包括的特定特征、結構和/或特性。本文中出現的諸如“在一個示例中”或“在替換示例中”之類的短語提供了本發明的實施方式的示例，而不一定都指代同一實施方式。然而，它們也不一定是相互排斥的。

圖1是具有自適應調整控制邏輯的存儲器子系統的示例的框圖，該自適應調整控制邏輯用于設置針對非易失性介質的調整。

圖2是具有自適應調整控制邏輯的系統的示例的框圖，該自適應調整控制邏輯用于設置針對非易失性介質的調整。

圖3是具有自適應調整控制的系統的示例的框圖，該自適應調整控制用于調節針對基于電阻的存儲器的預設值。

圖4A-4B是具有針對預設值的自適應控制的系統的示例的圖解表示，該針對預設值的自適應控制用于隨時間變化進行調節以適應于電氣參數行為中的漂移。

圖5是用于向下調節值以避免復位失敗的過程的示例的流程圖。

圖6是用于向上調節值以避免過度向下調節該值的過程的示例的流程圖。

圖7是可以在其中實現自適應裕度控制的存儲器子系統的示例的框圖。

圖8是可以在其中實現具有自適應裕度控制的存儲器的計算系統的示例的框圖。

圖9是可以在其中實現具有自適應裕度控制的存儲器的移動設備的示例的框圖。

以下是對某些細節和實施方式的描述，包括對附圖的非限制性描述，所述附圖可描繪一些或所有示例，以及其他潛在的實施方式。

具體實施方式

存儲器設備包括具有多個基于電阻的存儲器單元的存儲器陣列。基于電阻的存儲器基于存儲器單元的電阻狀態（置位或復位）來存儲數據。電氣設置裕度（諸如讀電壓寫電流或其他電壓和電流值）可以在設備的整個壽命期間進行調節。系統中的控制器可以提供對電氣設置裕度的自適應校準以降低誤碼率，否則誤碼率將在存儲器設備的壽命期間趨于增大。控制器耦合到存儲器陣列，并且可以周期性地對存儲器陣列的存儲器單元的置位和復位裕度進行采樣。響應于檢測到裕度的變化，系統可以自適應地調節用于區分置位狀態和復位狀態的預設電氣設置。