[發明專利]基于自適應校準的存儲器預設調節在審
| 申請號： | 201910149651.X | 申請日： | 2019-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN110322910A | 公開（公告）日： | 2019-10-11 |
| 發明（設計）人： | P.S.達姆勒;房偉;A.法齊奧 | 申請（專利權）人： | 英特爾公司 |
| 主分類號： | G11C7/20 | 分類號： | G11C7/20;G11C16/34;G11C29/50 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 鄭瑾彤;申屠偉進 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 非易失性存儲器單元 存儲器單元 存儲器陣列 存儲器 自適應 預設 復位狀態 校準 裕度 置位 控制器周期性 存儲器設備 存儲數據 電阻狀態 數據存儲 置位狀態 耦合到 采樣 復位 電阻 響應 檢測 | ||
1.一種計算設備，包括：
存儲器陣列，具有多個非易失性存儲器單元，其將數據存儲為存儲器單元的置位或復位狀態；以及
耦合到存儲器陣列的控制器，所述控制器要周期性地對存儲器陣列的存儲器單元的置位和復位裕度進行采樣，并且響應于檢測到裕度變化，所述控制器要自適應地調節用于區分存儲器單元的置位狀態和復位狀態的預設訪問設置。
2.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中，所述非易失性存儲器單元包括基于電阻狀態來存儲數據的三維交叉點陣列的存儲器單元。
3.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中，所述預設設置包括用于電壓屬性、或電流屬性、或定時屬性的電氣設置的調整值。
4.根據權利要求3所述的存儲器設備，其中，所述預設電氣設置包括用于分界電壓（Vdm）的電壓調整。
5.根據權利要求3所述的存儲器設備，其中，所述預設電氣設置包括用于寫電流的調整值。
6.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中，檢測到裕度變化包括檢測到讀重試率高于閾值。
7.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中，檢測到裕度變化包括檢測到位錯誤數大于閾值。
8.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中，所述存儲器陣列包括第一管芯的第一存儲器陣列，并且還包括第二存儲器管芯的第二存儲器陣列，其中所述控制器要針對第一和第二管芯獨立地自適應地調節預設電氣設置。
9.一種系統，包括：
系統存儲器總線；
耦合到系統存儲器總線的易失性存儲器設備，其要提供對易失性存儲器介質的可字節尋址的隨機訪問；以及
耦合到系統存儲器總線的非易失性存儲器設備，其要提供對非易失性存儲器介質的可字節尋址的隨機訪問，所述非易失性存儲器設備包括：
存儲器陣列，具有多個存儲器單元，其將數據存儲為存儲器單元的置位或復位狀態；以及
耦合到存儲器陣列的控制器，所述控制器要周期性地對存儲器陣列的存儲器單元的置位和復位裕度進行采樣，并且響應于檢測到裕度變化，所述控制器要自適應地調節用于區分存儲器單元的置位狀態和復位狀態的預設訪問設置。
10.根據權利要求9所述的系統，其中，所述非易失性存儲器單元包括基于電阻狀態來存儲數據的三維交叉點陣列的存儲器單元。
11.根據權利要求9所述的系統，其中，所述預設設置包括用于電壓屬性、或電流屬性、或定時屬性的電氣設置的調整值。
12.根據權利要求11所述的系統，其中，所述預設電氣設置包括用于讀電壓的電壓調整。
13.根據權利要求11所述的系統，其中，所述預設電氣設置包括用于寫電流的調整值。
14.根據權利要求9所述的系統，其中，檢測到裕度變化包括檢測到讀重試率高于閾值。
15.根據權利要求9所述的系統，其中，檢測到裕度變化包括檢測到位錯誤數大于閾值。
16.根據權利要求9所述的系統，其中，所述存儲器陣列包括第一管芯的第一存儲器陣列，并且還包括第二存儲器管芯的第二存儲器陣列，其中所述控制器要針對第一和第二管芯獨立地自適應地調節預設電氣設置。
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