[發(fā)明專利]一種稀土型復(fù)合催化材料的制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910149554.0
• 申請(qǐng)日: 2019-02-28
• 公開（公告）號(hào): CN111617797A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭金玉;王成強(qiáng);羅一斌;滿征
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)石油化工股份有限公司;中國(guó)石油化工股份有限公司石油化工科學(xué)研究院
• 主分類號(hào): B01J29/08
• 分類號(hào): B01J29/08;B01J35/10;B01J37/10;B01J37/30;C10G11/05;C10G45/12
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1.一種稀土型復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，包括以下制備步驟：(1)將一種多孔材料與稀土溶液和/或銨鹽溶液進(jìn)行第一次離子交換處理，過濾、水洗、干燥；(2)將步驟(1)所得在0～100％水蒸氣條件下進(jìn)行第一次焙燒處理；(3)將步驟(2)所得與銨鹽溶液混合進(jìn)行第二次離子交換處理后，過濾或不過濾，或者將步驟(2)所得與酸溶液混合進(jìn)行第二次離子交換處理，過濾；(4)將步驟(3)所得與稀土溶液混合，并用堿性溶液調(diào)節(jié)漿液pH值至5～10后，過濾或不過濾；(5)將步驟(4)所得在0～100％水蒸氣條件下進(jìn)行第二次焙燒處理。

2.按照權(quán)利要求1的制備方法，其中，步驟(1)中所述的多孔材料，在XRD譜圖中同時(shí)含有FAU晶相結(jié)構(gòu)和擬薄水鋁石非晶相結(jié)構(gòu)，在透射電鏡TEM中同時(shí)可見FAU晶體部分的有序衍射條紋和擬薄水鋁石部分的無序結(jié)構(gòu)，且無序結(jié)構(gòu)沿有序衍射條紋的邊緣衍生生長(zhǎng)，兩種結(jié)構(gòu)有效結(jié)合在一起形成一種微孔和介孔的復(fù)合結(jié)構(gòu)；其拉曼(Raman)光譜中，a/b＝1.5～10，其中a代表位移為500cm^-1的譜峰峰強(qiáng)度，b代表位移為350cm^-1的譜峰峰強(qiáng)度；其無水化學(xué)表達(dá)式為(4～12)Na₂O·(25～65)SiO₂·(25～70)Al₂O₃，比表面積為350～750m²/g，介孔比表面積為50～450m²/g，總孔體積為0.5～1.5ml/g，介孔孔體積為0.2～1.2ml/g，BJH曲線顯示梯度孔分布特征，分別在3～4nm、8～20nm和18～40nm出現(xiàn)可幾孔分布。

3.按照權(quán)利要求1的制備方法，其中，步驟(1)中所述的多孔材料，是將具有FAU晶體結(jié)構(gòu)的分子篩干粉加水打漿，攪拌均勻后，在室溫至85℃下加入鋁源和堿溶液并充分混合、控制漿液體系的pH值保持在7～11進(jìn)行接觸反應(yīng)，再以所述鋁源中氧化鋁為基準(zhǔn)、SiO₂:Al₂O₃＝1:(1～9)的重量比，將以氧化硅計(jì)的硅源加入到上述反應(yīng)漿液中，于室溫至90℃下繼續(xù)反應(yīng)1～10小時(shí)，過濾干燥后獲得，或者，于室溫至90℃下恒溫?cái)嚢?～4小時(shí)后再經(jīng)密閉反應(yīng)釜中95～105℃下進(jìn)一步晶化3～30小時(shí)，過濾干燥后獲得。

4.按照權(quán)利要求3的制備方法，其中，所述的FAU晶體結(jié)構(gòu)的分子篩為NaY分子篩，其結(jié)晶度大于70％。

5.按照權(quán)利要求3的制備方法，其中，所述的鋁源選自硝酸鋁、硫酸鋁和氯化鋁中的一種或多種。

6.按照權(quán)利要求3的制備方法，其中，所述的堿溶液選自氨水、氫氧化鉀、氫氧化鈉和偏鋁酸鈉中的一種或多種，當(dāng)以偏鋁酸鈉為堿溶液時(shí)，其氧化鋁含量計(jì)入總的氧化鋁含量中。

7.按照權(quán)利要求3的制備方法，其中，所述的硅源選自水玻璃、硅酸鈉、四乙氧基硅、四甲氧基硅和氧化硅中的一種或多種。

8.按照權(quán)利要求1的制備方法，其中，步驟(1)中所述的多孔材料與稀土溶液和/或銨鹽溶液進(jìn)行第一次離子交換處理的過程中，稀土溶液以稀土氧化物計(jì)與多孔材料的重量比例為0～0.14、優(yōu)選重量比例為0.02～0.13，銨鹽與多孔材料的重量比例為0.1～1.0，交換溫度40～90℃、優(yōu)選50～80℃，交換時(shí)間0.5～3.0小時(shí)、優(yōu)選1～2小時(shí)。

9.按照權(quán)利要求1的制備方法，其中，步驟(2)和(5)中所述的第一次和第二次焙燒處理，均是在500～700℃溫度下、優(yōu)選530～680℃溫度下，20％～100％水蒸氣條件下進(jìn)行。