[發明專利]靜電吸盤

有效

• 申請號: 201910149165.8
• 申請日: 2019-02-28
• 公開（公告）號: CN110277341B
• 公開（公告）日: 2023-06-20
• 發明（設計）人: 山口康介;白石純;板倉郁夫;籾山大;西愿修一郎
• 申請（專利權）人: TOTO株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/67;H01J37/32;H01J37/20
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 周善來;王玉玲

本發明的目的在于提供一種靜電吸盤，在設置有多孔質部的靜電吸盤中，能夠實現電弧放電的降低及氣體流動的順暢化。提供一種靜電吸盤，其特征為，陶瓷電介體基板具有位于第1主面與第1多孔質部之間的第1孔部，陶瓷電介體基板及第1多孔質部中的至少任意一個具有位于第1孔部與第1多孔質部之間的第2孔部，在與從基座板朝向陶瓷電介體基板的第1方向大致正交的第2方向上，第2孔部的尺寸比第1多孔質部的尺寸更小，比第1孔部的尺寸更大。

技術領域

本發明的形態涉及一種靜電吸盤。

背景技術

在氧化鋁等的陶瓷電介體基板之間夾住電極并進行燒成而制作的陶瓷制的靜電吸盤是在內置的電極上外加靜電吸附用電力，并通過靜電力來吸附硅晶片等的基板。在這樣的靜電吸盤中，在陶瓷電介體基板的表面與吸附對象物即基板的背面之間流入氦(He)等惰性氣體，對吸附對象物即基板的溫度進行控制。

例如，在化學汽相沉積(CVD(Chemical?Vapor?Deposition))裝置、濺射(sputtering)裝置、離子注入裝置、蝕刻(etching)裝置等對基板進行處理的裝置中，存在處理中會帶來基板的溫度上升的裝置。在用于這樣的裝置的靜電吸盤中，在陶瓷電介體基板與吸附對象物即基板之間流入He等惰性氣體，通過使惰性氣體接觸基板來抑制基板的溫度上升。

在通過He等惰性氣體來對基板溫度進行控制的靜電吸盤中，將用于導入He等惰性氣體的孔(氣體導入路)設置于陶瓷電介體基板及支撐陶瓷電介體基板的基座板。另外，在陶瓷電介體基板上設置連通于基座板的氣體導入路的穿通孔。由此，從基座板的氣體導入路導入的惰性氣體，通過陶瓷電介體基板的穿通孔而被引導至基板的背面。

在此，在裝置內對基板進行處理時，有時會發生從裝置內的等離子體朝向金屬制的基座板的放電(電弧放電)。基座板的氣體導入路及陶瓷電介體基板的穿通孔有可能容易成為放電的路徑。于是，存在如下技術，通過在基座板的氣體導入路及陶瓷電介體基板的穿通孔中設置多孔質部，從而提高對電弧放電的抗性(絕緣強度等)。例如，在專利文獻1中公開有如下靜電吸盤，通過在氣體導入路內設置陶瓷燒結多孔體，將陶瓷燒結多孔體的構造及膜孔作為氣體流路，從而提高在氣體導入路內的絕緣性。另外，在專利文獻2中公開有如下靜電吸盤，在氣體擴散用空隙內設置有由陶瓷多孔體所構成且用于防止放電的處理氣體流路用的放電防止構件。另外，在專利文獻3中公開有如下靜電吸盤，作為如氧化鋁這樣的多孔質電介體而設置電介體插入物，從而降低電弧放電。在這樣的具有多孔質部的靜電吸盤中，要求實現電弧放電的降低及氣體流動的順暢化。

專利文獻1：日本國特開2010-123712號公報

專利文獻2：日本國特開2003-338492號公報

專利文獻3：日本國特開平10-50813號公報

發明內容

本發明是基于這樣的問題的認知而進行的，所要解決的技術問題是提供一種靜電吸盤，在設置有多孔質部的靜電吸盤中，能夠實現電弧放電的降低及氣體流動的順暢化。

第1發明為一種靜電吸盤，具備：陶瓷電介體基板，具有放置吸附對象物的第1主面、所述第1主面相反側的第2主面；基座板，支撐所述陶瓷電介體基板且具有氣體導入路；及第1多孔質部，設置在所述基座板與所述陶瓷電介體基板的所述第1主面之間且與所述氣體導入路相對的位置，其特征為，所述陶瓷電介體基板具有位于所述第1主面與所述第1多孔質部之間的第1孔部，所述陶瓷電介體基板及所述第1多孔質部中的至少任意一個具有位于所述第1孔部與所述第1多孔質部之間的第2孔部，在與從所述基座板朝向所述陶瓷電介體基板的第1方向正交的第2方向上，所述第2孔部的尺寸比所述第1多孔質部的尺寸更小，比所述第1孔部的尺寸更大，所述第2孔部設置于所述第1多孔質部。