[發明專利]靜電吸盤有效
| 申請號: | 201910149165.8 | 申請日: | 2019-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN110277341B | 公開(公告)日: | 2023-06-20 |
| 發明(設計)人: | 山口康介;白石純;板倉郁夫;籾山大;西愿修一郎 | 申請(專利權)人: | TOTO株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/67;H01J37/32;H01J37/20 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 周善來;王玉玲 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靜電 吸盤 | ||
1.一種靜電吸盤,具備:
陶瓷電介體基板,具有放置吸附對象物的第1主面、所述第1主面相反側的第2主面;
基座板,支撐所述陶瓷電介體基板且具有氣體導入路;
及第1多孔質部,設置在所述基座板與所述陶瓷電介體基板的所述第1主面之間且與所述氣體導入路相對的位置,
所述靜電吸盤的特征為,
所述陶瓷電介體基板具有位于所述第1主面與所述第1多孔質部之間的第1孔部,
所述陶瓷電介體基板及所述第1多孔質部中的至少任意一個具有位于所述第1孔部與所述第1多孔質部之間的第2孔部,
在與從所述基座板朝向所述陶瓷電介體基板的第1方向正交的第2方向上,所述第2孔部的尺寸比所述第1多孔質部的尺寸更小,比所述第1孔部的尺寸更大,
所述第2孔部設置于所述第1多孔質部。
2.一種靜電吸盤,具備:
陶瓷電介體基板,具有放置吸附對象物的第1主面、所述第1主面相反側的第2主面;
基座板,支撐所述陶瓷電介體基板且具有氣體導入路;
及第1多孔質部,設置在所述基座板與所述陶瓷電介體基板的所述第1主面之間且與所述氣體導入路相對的位置,
所述靜電吸盤的特征為,
所述陶瓷電介體基板具有位于所述第1主面與所述第1多孔質部之間的第1孔部,
所述陶瓷電介體基板及所述第1多孔質部中的至少任意一個具有位于所述第1孔部與所述第1多孔質部之間的第2孔部,
在與從所述基座板朝向所述陶瓷電介體基板的第1方向正交的第2方向上,所述第2孔部的尺寸比所述第1多孔質部的尺寸更小,比所述第1孔部的尺寸更大,
所述靜電吸盤還具備設置在所述陶瓷電介體基板與所述基座板之間的粘接部,
在所述第1方向上,所述第2孔部的尺寸比所述粘接部的尺寸更小。
3.一種靜電吸盤,具備:
陶瓷電介體基板,具有放置吸附對象物的第1主面、所述第1主面相反側的第2主面;
基座板,支撐所述陶瓷電介體基板且具有氣體導入路;及
第1多孔質部,設置在所述基座板與所述陶瓷電介體基板的所述第1主面之間且與所述氣體導入路相對的位置,
所述靜電吸盤的特征為,
所述陶瓷電介體基板具有位于所述第1主面與所述第1多孔質部之間的第1孔部,
所述陶瓷電介體基板及所述第1多孔質部中的至少任意一個具有位于所述第1孔部與所述第1多孔質部之間的第2孔部,
在與從所述基座板朝向所述陶瓷電介體基板的第1方向正交的第2方向上,所述第2孔部的尺寸比所述第1多孔質部的尺寸更小,比所述第1孔部的尺寸更大,
所述第1多孔質部具有:多個疏松部分,具有包含第1孔和第2孔的多個孔;及緊密部分,具有比所述疏松部分的密度更高的密度,
所述多個疏松部分分別在所述第1方向上延伸,
所述緊密部分位于所述多個疏松部分的彼此之間,
所述疏松部分具有設置在所述第1孔與所述第2孔之間的壁部,
在所述第2方向上,所述壁部的尺寸的最小值,比所述緊密部分的尺寸的最小值更小。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的靜電吸盤,其特征為,
所述第2孔部設置于所述陶瓷電介體基板。
5.根據權利要求1至3中任一項所述的靜電吸盤,其特征為,
所述陶瓷電介體基板還具有向所述第1主面開口且連通于所述第1孔部的至少1個槽,
在所述第1方向上,所述第2孔部的尺寸比所述槽的尺寸更小。
6.根據權利要求1至3中任一項所述的靜電吸盤,其特征為,
還具備設置在所述第1多孔質部與所述氣體導入路之間且具有多個孔的第2多孔質部,
設置于所述第2多孔質部的所述多個孔的直徑的平均值,比設置于所述第1多孔質部的多個孔的直徑的平均值更大。
7.根據權利要求6所述的靜電吸盤,其特征為,
設置于所述第2多孔質部的多個孔,比設置于所述第1多孔質部的多個孔在3維上更為分散,
在所述第1方向上穿通的孔的比例,所述第1多孔質部比所述第2多孔質部更多。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





