[發明專利]CMOS圖像傳感器封裝模塊及其形成方法、攝像裝置有效
| 申請號: | 201910147629.1 | 申請日: | 2019-02-27 |
| 公開(公告)號: | CN111627941B | 公開(公告)日: | 2023-04-18 |
| 發明(設計)人: | 向陽輝 | 申請(專利權)人: | 中芯集成電路(寧波)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
| 地址: | 315800 浙江省寧波市北*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | cmos 圖像傳感器 封裝 模塊 及其 形成 方法 攝像 裝置 | ||
本發明提供一種CMOS圖像傳感器封裝模塊及其形成方法、攝像裝置。CMOS圖像傳感器封裝模塊在像素電路基板上接合有信號處理芯片和DRAM芯片,信號處理芯片和DRAM芯片通過第一互連結構電連接,像素電路基板中的讀出電路、信號處理芯片以及DRAM芯片均與第二互連結構電連接,再布線層與第二互連結構電連接,優化了封裝模塊的結構,便于將讀出電路輸出的數字圖像信號先緩存于DRAM芯片,再由DRAM芯片傳輸至信號處理芯片進行處理,在所述CMOS圖像傳感器封裝模塊用于圖像拍攝時,有利于提高對傳輸的數據以及數字圖像信號的處理速度,進而提高圖像質量。本發明的攝像裝置包括上述CMOS圖像傳感器封裝模塊。
技術領域
本發明涉及圖像傳感器領域,特別涉及一種CMOS圖像傳感器封裝模塊及其形成方法、攝像裝置。
背景技術
出于拍攝景物的需要,目前諸如筆記本電腦、平板電腦、智能手機、智能玩具等設備上也配置了數字攝像頭。常用的數字攝像頭通過攝像鏡頭,將生成的光學圖像投射到感光元件表層,光線被感光元件表層上的濾鏡分解成不同的色光,各色光被各濾鏡相對應的像素單元感知,并產生不同強度的模擬信號,再由感光元件的電路將這些信號收集起來,模擬信號通過數模轉換器轉換成為數字信號,再由圖像信號處理器(ISP,image?signalprocessor)對這些數字信號進行處理,再被送到手機處理器進行處理,然后再被傳輸到存儲卡保存起來,成為屏幕上能夠觀看的圖像。
目前常用的感光元件為背照式CMOS(Complementary?Metal?OxideSemiconductor,互補金屬-氧化物-半導體)圖像傳感器。與CCD圖像傳感器相比,CMOS圖像傳感器能夠實現更靈活的圖像捕獲、更高的靈敏度、更寬的動態范圍、更高的分辨率、更低的功耗以及更加優良的系統集成等。并且,光從CMOS圖像傳感器的背面入射,無需穿過感光元件上的互連層即射向感光元件,減少了光線損失,在單位時間內,單個像素單元能獲取的光能量更大,對畫質有明顯的提升。
但是,隨著對CMOS圖像傳感器的尺寸以及成像質量等方面的要求提高,仍需要進一步優化CMOS圖像傳感器封裝模塊的結構。
發明內容
針對上述問題,本發明提供了一種CMOS圖像傳感器封裝模塊及其形成方法,以優化CMOS圖像傳感器封裝模塊的結構,便于提高利用該CMOS圖像傳感器封裝模塊進行拍攝時的成像質量。
根據本發明的一方面,提供了一種CMOS圖像傳感器封裝模塊,包括:
像素電路基板,其中包括感光區和讀出電路區,CMOS圖像傳感器的像素陣列設置于所述感光區,讀出電路設置于所述讀出電路區,所述讀出電路具有電路互連端,所述像素電路基板包括相對的第一表面和第二表面;接合層,鋪設于所述第一表面;并列位于所述接合層上的信號處理芯片和DRAM芯片,所述信號處理芯片具有朝向所述第一表面的第一連接端和第二連接端,所述DRAM芯片具有朝向所述第一表面的第三連接端和第四連接端;第一互連結構,電連接所述第一連接端和所述第三連接端,所述第一互連結構包括嵌于所述接合層的第一連接塊和嵌于所述接合層的第二連接塊,所述第一連接塊與所述第一連接端接觸電連接,所述第二連接塊與所述第三連接端接觸電連接,所述第一連接塊與所述第二連接塊電連接;第二互連結構,設置于所述像素電路基板和所述接合層中,與所述電路互連端、所述第二連接端以及所述第四連接端均電連接;以及再布線層,鋪設于所述第二表面,所述再布線層與所述第二互連結構電連接。
可選的,所述第一互連結構還包括位于所述第一表面上的互連件,所述第一連接塊與所述第二連接塊通過所述互連件電連接。
可選的,所述互連件包括互連線及位于所述互連線兩端的第一焊墊、第二焊墊,所述第一焊墊通過所述第一連接塊與所述第一連接端連接,所述第二焊墊通過所述第二連接塊與所述第三連接端連接。
可選的,所述互連件包括互連線,所述互連線的兩端分別通過所述第一連接塊與所述第一連接端連接、通過所述第二連接塊與所述第三連接端連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中芯集成電路(寧波)有限公司,未經中芯集成電路(寧波)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910147629.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:半導體結構及其形成方法
- 下一篇:應用系統中的資源調度系統、方法及裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





