[發(fā)明專利]CMOS圖像傳感器封裝模塊及其形成方法、攝像裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910147629.1
• 申請日: 2019-02-27
• 公開（公告）號(hào): CN111627941B
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 向陽輝
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯集成電路（寧波）有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種CMOS圖像傳感器封裝模塊，其特征在于，包括：

像素電路基板，其中包括感光區(qū)和讀出電路區(qū)，CMOS圖像傳感器的像素陣列設(shè)置于所述感光區(qū)，讀出電路設(shè)置于所述讀出電路區(qū)，所述讀出電路具有電路互連端，所述像素電路基板包括相對(duì)的第一表面和第二表面；

接合層，鋪設(shè)于所述第一表面；

并列位于所述接合層上的信號(hào)處理芯片和DRAM芯片，所述信號(hào)處理芯片具有朝向所述第一表面的第一連接端和第二連接端，所述DRAM芯片具有朝向所述第一表面的第三連接端和第四連接端；

第一互連結(jié)構(gòu)，電連接所述第一連接端和所述第三連接端，所述第一互連結(jié)構(gòu)包括嵌于所述接合層的第一連接塊和嵌于所述接合層的第二連接塊，所述第一連接塊與所述第一連接端接觸電連接，所述第二連接塊與所述第三連接端接觸電連接，所述第一連接塊與所述第二連接塊電連接；

第二互連結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述像素電路基板和所述接合層中，與所述電路互連端、所述第二連接端以及所述第四連接端均電連接；以及

再布線層，鋪設(shè)于所述第二表面，所述再布線層與所述第二互連結(jié)構(gòu)電連接。

2.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器封裝模塊，其特征在于，所述第一互連結(jié)構(gòu)還包括位于所述第一表面上的互連件，所述第一連接塊與所述第二連接塊通過所述互連件電連接。

3.如權(quán)利要求2所述的CMOS圖像傳感器封裝模塊，其特征在于，所述互連件包括互連線及位于所述互連線兩端的第一焊墊、第二焊墊，所述第一焊墊通過所述第一連接塊與所述第一連接端連接，所述第二焊墊通過所述第二連接塊與所述第三連接端連接。

4.如權(quán)利要求2所述的CMOS圖像傳感器封裝模塊，其特征在于，所述互連件包括互連線，所述互連線的兩端分別通過所述第一連接塊與所述第一連接端連接、通過所述第二連接塊與所述第三連接端連接。

5.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器封裝模塊，其特征在于，所述第一連接塊和所述第二連接塊為同一連接塊，所述同一連接塊從所述第一連接端延伸至所述第三連接端。

6.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器封裝模塊，其特征在于，所述第二互連結(jié)構(gòu)包括設(shè)置于所述像素電路基板中的第一導(dǎo)電插塞，所述第一導(dǎo)電插塞電連接所述電路互連端和所述再布線層。

7.如權(quán)利要求6所述的CMOS圖像傳感器封裝模塊，其特征在于，所述電路互連端包括第一電路互連端和第二電路互連端，所述第二互連結(jié)構(gòu)包括兩個(gè)所述第一導(dǎo)電插塞，以分別電連接所述第一電路互連端與所述再布線層以及所述第二電路互連端與所述再布線層。

8.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器封裝模塊，其特征在于，所述第二互連結(jié)構(gòu)包括穿過所述像素電路基板和所述接合層的第二導(dǎo)電插塞，所述第二導(dǎo)電插塞電連接所述第二連接端和所述再布線層。

9.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器封裝模塊，其特征在于，所述第二互連結(jié)構(gòu)包括穿過所述像素電路基板和所述接合層的第三導(dǎo)電插塞，所述第三導(dǎo)電插塞電連接所述第四連接端和所述再布線層。

10.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器封裝模塊，其特征在于，所述信號(hào)處理芯片和所述DRAM芯片對(duì)應(yīng)于所述讀出電路區(qū)設(shè)置于所述第一表面上。

11.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器封裝模塊，其特征在于，所述再布線層包括再布線以及與所述再布線電連接的焊墊。

12.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器封裝模塊，其特征在于，還包括封裝層，所述封裝層設(shè)置于所述第一表面上，所述封裝層覆蓋所述信號(hào)處理芯片、所述DRAM芯片并填充間隙。

13.如權(quán)利要求12所述的CMOS圖像傳感器封裝模塊，其特征在于，還包括偽芯片，所述偽芯片位于所述接合層上，所述封裝層還覆蓋所述偽芯片。