[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201910147232.2
• 申請日: 2019-02-27
• 公開（公告）號: CN110880513B
• 公開（公告）日: 2023-06-09
• 發明（設計）人: 內田佳祐
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H10B43/10
• 分類號: H10B43/10;H10B43/35;H10B43/27
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

1.一種半導體裝置，具備：

第1絕緣膜壁，將同一橢圓柱區域在橢圓的最大直徑方向上分離成兩個區域；

第1存儲器膜，沿被所述第1絕緣膜壁分離的所述橢圓柱區域中的一個區域的側壁面配置為筒狀，且具有第1電荷儲存膜；

第2存儲器膜，沿被所述第1絕緣膜壁分離的所述橢圓柱區域中的另一個區域的側壁面配置為筒狀，且具有第2電荷儲存膜；

第1配線群，在所述橢圓柱區域的長度方向上設置著多層，分別為板狀，在與所述橢圓柱區域的長度方向正交的方向上延伸，且連接于所述第1存儲器膜；

第2配線群，在與所述第1配線群相同的層內設置著多層，分別為板狀，在與所述第1配線群平行且與所述橢圓柱區域的長度方向正交的方向上延伸，且連接于所述第2存儲器膜；

第1通道膜，配置為沿著所述第1存儲器膜的內側壁面的柱狀；

第2通道膜，配置為沿著所述第2存儲器膜的內側壁面的柱狀；及

第2絕緣膜壁，與所述第1絕緣膜壁一體地形成，且將所述多層第1配線群與所述多層第2配線群之間分離。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述第1及第2存儲器膜分別具有作為阻擋絕緣膜的氧化鋁(Al₂O₃)膜，所述作為阻擋絕緣膜的氧化鋁(Al₂O₃)膜配置為在所述橢圓柱區域的長度方向上連續的筒狀。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述多層第1配線群與所述多層第2配線群在所述橢圓柱區域的所述橢圓的最小直徑方向上延伸。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述第1通道膜配置為沿著所述第1存儲器膜的內側壁面全周的柱狀，且

所述第2通道膜配置為沿著所述第2存儲器膜的內側壁面全周的柱狀。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述第1存儲器膜與所述第2存儲器膜是與所述第1絕緣膜壁的兩壁面中互為相反的壁面接觸地配置。

6.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于：分別設置著所述第1絕緣膜壁、所述第1與第2存儲器膜、及所述第1與第2通道膜的多個橢圓柱區域、所述多層第1配線群與所述多層第2配線群隔著所述第2絕緣膜壁相互對向的多個部分在所述橢圓柱區域的所述橢圓的最小直徑方向上交替地排列。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于：所述多層第1配線群連接于所述多個橢圓柱區域的各第1存儲器膜，且

所述多層第2配線群連接于所述多個橢圓柱區域的各第2存儲器膜。

8.一種半導體裝置，具備：

第1絕緣膜壁，將同一橢圓柱區域在橢圓的最大直徑方向上分離成兩個區域；

第1存儲器膜，沿被所述第1絕緣膜壁分離的所述橢圓柱區域中的一個區域的側壁面配置為筒狀，且具有第1電荷儲存膜；

第2存儲器膜，沿被所述第1絕緣膜壁分離的所述橢圓柱區域中的另一個區域的側壁面配置為筒狀，且具有第2電荷儲存膜；

第1配線群，在所述橢圓柱區域的長度方向上設置著多層，分別為板狀，在與所述橢圓柱區域的長度方向正交的方向上延伸，且在所述橢圓柱區域中的橢圓的最小直徑方向的一側連接于所述第1存儲器膜的一部分與所述第2存儲器膜的一部分；

第2配線群，在與所述第1配線群相同的層內設置著多層，分別為板狀，在與所述第1配線群平行且與所述橢圓柱區域的長度方向正交的方向上延伸，且在所述橢圓柱區域中的橢圓的最小直徑方向的另一側連接于所述第1存儲器膜的另一部分與所述第2存儲器膜的另一部分；

第1通道膜，遍及所述橢圓柱區域中的橢圓的最小直徑方向的所述一側及所述另一側配置為沿著所述第1存儲器膜的內側壁面的柱狀；

第2通道膜，遍及所述橢圓柱區域中的橢圓的最小直徑方向的所述一側及所述另一側配置為沿著所述第2存儲器膜的內側壁面的柱狀；及

第2絕緣膜壁，將所述第1配線群與所述第2配線群之間分離。