[發(fā)明專利]半導體封裝結構及用于形成半導體封裝結構的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910146963.5
• 申請日: 2019-02-27
• 公開（公告）號: CN110544687B
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發(fā)明（設計）人: 葉庭聿;許家豪;陳偉銘;丁國強;俞篤豪;侯上勇
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L25/18
• 分類號: H01L25/18;H01L23/367;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/48;H01L21/60;H01L23/488
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 龔詩靖

1.一種半導體封裝結構，其包括：

襯底；

多個半導體裸片，其位于所述襯底上方；及

多TIM結構，其位于所述多個半導體裸片上方，

其中所述多TIM結構包括第一TIM層及第二TIM層，所述第一TIM層的導熱系數(shù)(Tk)不同于所述第二TIM層的導熱系數(shù)，所述第一TIM層與所述多個半導體裸片中的各者的一部分重疊，且所述第二TIM層與所述多個半導體裸片中的各者的另一部分重疊。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝結構，其中所述第一TIM層與所述第二TIM層間隔氣隙。

3.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝結構，其中所述第一TIM層與所述第二TIM層接觸。

4.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝結構，其中從俯視視角看，所述第二TIM層包圍所述第一TIM層。

5.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝結構，其中沿第一方向布置所述多個半導體裸片，且沿不同于所述第一方向的第二方向布置所述第一TIM層及所述第二TIM層。

6.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝結構，其中沿相同方向布置所述多個半導體裸片、所述第一TIM層及所述第二TIM層。

7.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝結構，其中所述多TIM結構進一步包括第三TIM層，且從俯視視角看，所述第一TIM層安置于所述第二TIM層與所述第三TIM層之間。

8.一種半導體封裝結構，其包括：

襯底；

第一半導體裸片及第二半導體裸片，其經安置于所述襯底上方，其中所述第一半導體裸片包含第一熱輸出，且所述第二半導體裸片包含小于所述第一熱輸出的第二熱輸出；及

多TIM結構，其經安置于所述第一半導體裸片及所述第二半導體裸片上方，所述多TIM結構包括經安置于所述第一半導體裸片的至少一部分上方的第一TIM層及第二TIM層，

其中所述第一TIM層的導熱系數(shù)大于所述第二TIM層的導熱系數(shù)。

9.根據(jù)權利要求8所述的半導體封裝結構，其中所述第一TIM層的所述導熱系數(shù)大于10W/mK。

10.根據(jù)權利要求8所述的半導體封裝結構，其中所述第二TIM層的所述導熱系數(shù)小于10W/mK。

11.根據(jù)權利要求8所述的半導體封裝結構，其中所述第一TIM層包括基底材料及導熱填料，所述基底材料包括聚合物或樹脂，且所述導熱填料包括氧化鋁(AlO)、氮化硼(BN)、氮化鋁(AlN)、鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)或銦(In)。

12.根據(jù)權利要求8所述的半導體封裝結構，其中所述第二TIM層包括聚合物。

13.根據(jù)權利要求8所述的半導體封裝結構，其中所述第一TIM層的粘著性不同于所述第二TIM層的粘著性。

14.根據(jù)權利要求8所述的半導體封裝結構，進一步包括經安置于所述多TIM結構上方且與所述多TIM結構接觸的散熱器。

15.一種用于形成半導體封裝結構的方法，其包括：

接收包括裸片區(qū)域及經安置于所述裸片區(qū)域中的第一半導體裸片及第二半導體裸片的襯底；

在所述裸片區(qū)域中界定其中需要導熱性的第一區(qū)域及其中需要粘著性的第二區(qū)域；及

將第一TIM層安置于所述第一區(qū)域中，且將第二TIM層安置于所述第二區(qū)域中，

其中所述第一TIM層的導熱系數(shù)大于所述第二TIM層的導熱系數(shù)，所述第二TIM層的粘著性大于所述第一TIM層的粘著性，且所述第二TIM層安置于所述第一區(qū)域的隅角上方。