[發明專利]一種低溫高性能碳化硅膜層及其制備方法在審
| 申請號： | 201910144297.1 | 申請日： | 2019-02-27 |
| 公開（公告）號： | CN109761612A | 公開（公告）日： | 2019-05-17 |
| 發明（設計）人： | 馬騰飛;趙世凱;薛友祥;程之強;徐傳偉;唐鈺棟;張久美;侯立紅;付金剛 | 申請（專利權）人： | 山東工業陶瓷研究設計院有限公司 |
| 主分類號： | C04B35/565 | 分類號： | C04B35/565;C04B35/622;C04B38/00;B01D71/02;B01D67/00 |
| 代理公司： | 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 趙奕 |
| 地址： | 255000 山東省*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 燒成 膜層 制備 高性能碳化硅 碳化硅膜層 二氧化硅 莫來石 納米級稀土氧化物 碳化硅顆粒表面 納米級鋁溶膠 碳化硅粉體 晶粒 分子粒徑 高溫環境 顆粒表面 控制氣氛 網絡結構 液相生成 制備工藝 鋁溶膠 碳化硅 骨料 可控 能耗 生長 節約 | ||
1.一種低溫高性能碳化硅膜層的制備方法，其特征是，包括以下步驟：
將碳化硅、鋁溶膠、稀土及分散劑混合，涂覆在相應的支撐體上，在1000-1190℃燒成溫度下燒制即得。
2.根據權利要求1所述的高性能碳化硅膜層的制備方法，其特征是，將碳化硅、鋁溶膠、稀土及分散劑混合，涂覆在相應的支撐體上，在1000-1190℃燒成溫度下燒制，包括：
碳化硅、鋁溶膠、稀土及分散劑混合得分散溶液；
分散溶液與消泡劑混合得膜漿；
膜漿涂覆在相應的支撐體上，干燥后，在1000-1190℃燒成溫度下燒制。
3.根據權利要求2所述的低溫高性能碳化硅膜層的制備方法，其特征是，碳化硅、鋁溶膠的固含量、稀土的固含量重量比為：(80-99):(15-0.1):(10-0.1)。
4.根據權利要求2或3所述的低溫高性能碳化硅膜層的制備方法，其特征是，稀土為氧化鈧、氧化釔、氧化鑭、氧化鈰、氧化鐠、氧化釹、氧化钷、氧化釤、氧化銪、氧化釓、氧化鋱、氧化鏑、氧化鈥、氧化鉺、氧化鐿、氧化镥中至少一種的納米粉體或溶膠。
5.根據權利要求4所述的低溫高性能碳化硅膜層的制備方法，其特征是，分散劑為乙醇、聚丙烯醇、聚丙烯酸、聚丙烯酸鈉中的一種或多種。
6.根據權利要求4所述的低溫高性能碳化硅膜層的制備方法，其特征是，分散溶液與消泡劑的混合方式采用攪拌真空超聲分散。
7.根據權利要求6所述的低溫高性能碳化硅膜層的制備方法，其特征是，膜漿在相應的支撐體的涂覆方式為浸漬覆膜或噴涂覆膜。
8.根據權利要求6所述的低溫高性能碳化硅膜層的制備方法，其特征是，支撐體為碳化硅、氧化鋁、堇青石、莫來石中一種材質支撐體。
9.一種低溫高性能碳化硅膜層，其特征是，包括莫來石立體網絡結構及納米級稀土氧化物。
10.根據權利要求9所述的低溫高性能碳化硅膜層，其特征是，根據權利要求1-8任一所述方法制得。
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