[發明專利]硅膜的成膜方法和基板處理裝置在審
| 申請號： | 201910142632.4 | 申請日： | 2019-02-26 |
| 公開（公告）號： | CN110233096A | 公開（公告）日： | 2019-09-13 |
| 發明（設計）人： | 岡田充弘;宮原達也;藤田圭介 | 申請（專利權）人： | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;張會華 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅膜 成膜 蝕刻 基板處理裝置 成膜工序 膜厚 表面平滑性 蝕刻氣體 基底 薄膜 期望 | ||
本發明提供一種能夠形成表面平滑性優異的極薄膜的硅膜的硅膜的成膜方法和基板處理裝置。一實施方式的硅膜的成膜方法具有如下工序：成膜工序，在該成膜工序中，在基底之上對比所期望的膜厚厚的膜厚的硅膜進行成膜；以及蝕刻工序，在該蝕刻工序中，向所述硅膜供給含有溴或碘的蝕刻氣體而使所述硅膜的膜厚減少。
技術領域
本發明涉及一種硅膜的成膜方法和基板處理裝置。
背景技術
以往公知有如下方法：向基底供給氨基硅烷系氣體而形成晶種層，向晶種層供給不含有氨基的硅烷系氣體而形成硅膜，從而實現硅膜的薄膜化(參照例如專利文獻1)。另外，公知有如下方法：在將非晶硅膜形成到基底之上之后，使用Cl2氣體來對非晶硅膜進行干蝕刻而使膜厚減少，從而實現非晶硅膜的薄膜化和表面的平滑化(參照例如專利文獻2)。在該方法中，能夠形成表面平滑性優異、不具有針孔的薄膜硅。
專利文獻1：日本特開2014-127694號公報
專利文獻2：日本特開2013-26513號公報
發明內容
然而，在上述的方法中，難以應對進一步的薄膜化的要求而使硅膜薄膜化。
因此，在本發明的一形態中，目的在于提供一種能夠形成表面平滑性優異的極薄膜的硅膜的硅膜的成膜方法。
為了達成上述目的，本發明的一技術方案的硅膜的成膜方法具有如下工序：成膜工序，在該成膜工序中，在基底之上對比所期望的膜厚厚的膜厚的硅膜進行成膜；以及蝕刻工序，在該蝕刻工序中，向所述硅膜供給含有溴或碘的蝕刻氣體而使所述硅膜的膜厚減少。
根據公開的硅膜的成膜方法，能夠形成表面平滑性優異的極薄膜的硅膜。
附圖說明
圖1是表示本發明的實施方式的立式熱處理裝置的一個例子的剖視圖。
圖2是用于說明圖1的立式熱處理裝置的處理容器的圖。
圖3是表示本發明的實施方式的硅膜的成膜方法的一個例子的流程圖。
圖4是針孔的有無的評價方法的說明圖。
圖5是表示硅膜的表面SEM圖像的圖(1)。
圖6是硅表示膜的表面SEM圖像的圖(2)。
圖7是表示硅膜的表面SEM圖像的圖(3)。
圖8是表示硅膜的表面SEM圖像的圖(4)。
圖9是表示硅膜的膜厚與針孔數之間的關系的圖。
圖10是表示L&S圖案的截面形狀的圖。
圖11是表示蝕刻氣體對a-Si膜的蝕刻速度的溫度依賴性的圖。
201、硅基板；202、氧化膜；203、硅膜；204、針孔；205、凹部。
具體實施方式
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
