[發明專利]硅膜的成膜方法和基板處理裝置

在審

• 申請號: 201910142632.4
• 申請日: 2019-02-26
• 公開（公告）號: CN110233096A
• 公開（公告）日: 2019-09-13
• 發明（設計）人: 岡田充弘;宮原達也;藤田圭介
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種硅膜的成膜方法，其具有如下工序；

成膜工序，在該成膜工序中，在基底之上對比所期望的膜厚厚的膜厚的硅膜進行成膜；以及

蝕刻工序，在該蝕刻工序中，向所述硅膜供給含有溴或碘的蝕刻氣體而使所述硅膜的膜厚減少。

2.根據權利要求1所述的硅膜的成膜方法，其中，

在所述成膜工序中，對不產生針孔的膜厚的硅膜進行成膜。

3.根據權利要求1或2所述的硅膜的成膜方法，其中，

所述成膜工序具有如下步驟：

晶種層形成步驟，在該晶種層形成步驟中，向所述基底供給氨基硅烷系氣體而在所述基底的表面形成晶種層；以及

硅膜成膜步驟，在該硅膜成膜步驟中，向所述晶種層供給不含有氨基的硅烷系氣體而在所述晶種層之上對硅膜進行成膜。

4.根據權利要求3所述的硅膜的成膜方法，其中，

在所述晶種層形成步驟與所述硅膜成膜步驟之間具有第2硅膜成膜步驟，在該第2硅膜成膜步驟中，向所述晶種層供給比在所述硅膜成膜步驟中所使用的所述硅烷系氣體高階的硅烷系氣體。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的硅膜的成膜方法，其中，

在所述基底的表面形成有凹凸，

在所述成膜工序中，針對所述基底的凹凸保形地對所述硅膜進行成膜。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的硅膜的成膜方法，其中，

在所述基底的表面形成有凹凸，

在所述蝕刻工序中，對成膜到所述基底的凹凸的所述硅膜保形地進行蝕刻。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的硅膜的成膜方法，其中，

所述成膜工序和所述蝕刻工序在相同的處理室內連續地進行。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的硅膜的成膜方法，其中，

所述蝕刻工序以比所述成膜工序的溫度高的溫度進行。

9.根據權利要求1～8中任一項所述的硅膜的成膜方法，其中，

所述蝕刻氣體至少含有Br₂氣體、HBr氣體、I₂氣體、HI氣體中的任一者。

10.一種基板處理裝置，其具備：

處理容器，其收容基板；

氣體供給部件，其向所述處理容器內導入成膜氣體和蝕刻氣體；以及

控制部件，其進行控制，以便執行如下工序：成膜工序，在該成膜工序中，在所述基板之上對比所期望的膜厚厚的膜厚的硅膜進行成膜；以及蝕刻工序，在該蝕刻工序中，向所述硅膜供給含有溴或碘的蝕刻氣體而使所述硅膜的膜厚減少。