[發明專利]存儲器片內自測試方法、裝置和存儲器有效
| 申請號: | 201910139097.7 | 申請日: | 2019-02-25 |
| 公開(公告)號: | CN109903805B | 公開(公告)日: | 2021-08-20 |
| 發明(設計)人: | 解晨晨;李喜;陳后鵬;王倩;雷宇;宋志棠 | 申請(專利權)人: | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號: | G11C29/10 | 分類號: | G11C29/10;G11C29/12 |
| 代理公司: | 上海泰能知識產權代理事務所(普通合伙) 31233 | 代理人: | 黃志達 |
| 地址: | 200050 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 存儲器 測試 方法 裝置 | ||
本發明提供的一種存儲器片內自測試方法、裝置和存儲器,通過獲取自測試信號后令所述存儲器進入自測試狀態;在所述存儲器中尋找由一或多個連續無故障的所述存儲單元構成的滿足預設大小的存儲區域作為無故障區域;對所述存儲器的各存儲單元進行測試并將存在故障的存儲單元的故障信息存儲到所述無故障區域;在自測試結束后將所述無故障區域存儲的首地址輸出到外部端口以供讀取。本發明能夠降低了測試成本,而且可以對存儲器進行全速測試,增加了測試的故障覆蓋率和測試效率,減小了測試的面積開銷,能夠更加方便及時地發現存儲器的問題所在。
技術領域
本發明涉及存儲器自測試技術領域。尤其是涉及一種存儲器片內自測試方法、裝置和存儲器。
背景技術
新一代的非易失性存儲器,例如相變存儲器(PCM),因其超高的讀寫速度、高密度、高擦寫次數和與CMOS工藝相兼容的特性而備受業界青睞。然而,存儲器的容量不斷增大,集成度也不斷提高,為了進一步確保其可靠性,新型存儲器的可測性設計研究就顯得十分必要,如何快速而高效地對存儲器進行測試,是批量存儲器測試的一個重要課題。
對于存儲器的測試,在之前容量不大,集成度不是很高,故障類型不復雜的情況下,采用傳統的外部自動測試設備(ATE)可以達到不錯的速度和效果。但是,隨著存儲器容量和集成度的不斷提高,使得外部測試的開銷越來越大,有時甚至超過了設計和制造的成本,并且芯片的規模一再擴大,也超出了目前自動測試設備的速度和存儲能力,這樣會因為降低故障查找效率而降低產品質量,或者因為增加測試時間而加大測試成本。另外,工藝的不斷進步使得深亞微米存儲器芯片的故障類型也變得多種多樣,這大大增加了傳統測試方法的難度。相變存儲器等新型存儲器作為最有潛力的下一代非易失性存儲器,在其技術日益成熟,容量和集成度不斷增大的情況下,其測試的方案也亟需更新換代。
發明內容
鑒于以上所述現有技術的缺點,本發明的目的在于提供一種存儲器片內自測試方法、裝置和存儲器,用于滿足現有存儲器測試效率低,成本高,故障覆蓋率低等問題。
為實現上述目的及其他相關目的,本發明提供一種存儲器片內自測試方法,應用于存儲器,所述方法包括:獲取自測試信號后令所述存儲器進入自測試狀態;在所述存儲器中尋找由一或多個連續無故障的所述存儲單元構成的滿足預設大小的存儲區域作為無故障區域;對所述存儲器的各存儲單元進行測試并將存在故障的存儲單元的故障信息存儲到所述無故障區域;在自測試結束后將所述無故障區域存儲的首地址輸出到外部端口以供讀取。
于本發明的一實施例中,所述存儲器包括正常工作狀態、及自測試狀態;當所述存儲器處于正常工作狀態時,所述存儲器的地址信號、數據信號、及讀/寫使能控制信號由外部端口提供;當所述存儲器進入自測試狀態時,所述存儲器的地址信號、數據信號、及讀/寫使能控制信號由內部提供。
于本發明的一實施例中,所述在所述存儲器中尋找由一或多個連續無故障的所述存儲單元構成的滿足預設大小的存儲區域作為無故障區域的方法包括:從所述存儲器的起始地址開始,按一定地址順序依次選取一或多個所述存儲單元以構成滿足預設大小的存儲區域,并保存所述存儲區域的首地址、及末地址值;對所述存儲區域內的各所述存儲單元進行測試,比較各所述存儲單元測試得到的測試數據與預設測試數據是否一致;若不一致,則判定所述存儲單元存在故障;若一致,則判定所述存儲單元不存在故障;當測試所述存儲單元存在故障時,將所選的存儲區域的首地址改為當前地址的下一個地址,以及將所選的存儲區域的末地址依據預設大小進行相應調整;對調整地址后的所述存儲區域重新進行測試,直至找到各所述存儲單元不存在故障的所述存儲區域作為無故障區域;若不存在所述無故障區域,則調整所述無故障區域的大小或加入軟糾錯算法以再次尋找。
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