[發明專利]進氣裝置及反應腔室

在審

• 申請號: 201910138374.2
• 申請日: 2019-02-25
• 公開（公告）號: CN111613508A
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發明（設計）人: 王樂;柳朋亮
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

本發明提供一種進氣裝置及反應腔室，包括進氣本體和噴嘴，進氣本體的上端面設有環形凹道，在進氣本體的環形凹道處設置有安裝孔，噴嘴中設置有進氣孔，噴嘴可拆卸的安裝在安裝孔中，且進氣孔與環形凹道連通。本發明提供的進氣裝置及反應腔室能夠方便的對進氣裝置進行清理，降低進氣裝置的維護成本。

技術領域

本發明涉及半導體設備技術領域，具體地，涉及一種進氣裝置及反應腔室。

背景技術

目前，在半導體加工工藝中，通常是通過等離子體和襯底相互作用，使襯底表面發生各種物理和化學反應，從而使襯底表面的性能發生變化。等離子體通常是經過激發工藝氣體產生。

在現有技術中，產生等離子體的工藝氣體通常是經過上電極進氣裝置通入反應腔室內，在上電極進氣裝置中直接開設通孔，這些通孔作為供工藝氣體通過的進氣孔，工藝氣體經過進氣管路通入進氣孔中，再經過進氣孔進入反應腔室內，并在反應腔室內被激發形成等離子體。

但是，在現有技術中，為了滿足工藝的需求，上電極進氣裝置中的進氣孔的內徑通常非常小，而工藝氣體中又常會夾雜粉塵等微小雜質，并且加工工藝中也不可避免地產生一些副產物，這些微小雜質和副產物會在進氣孔處沉積，導致進氣孔的堵塞，由于進氣孔直接開設在上電極進氣裝置中，且在上電極進氣裝置中的深度較大，常規的清理無法徹底清洗進氣孔，若要徹底對進氣孔進氣清洗，通常需要將上電極進氣裝置從反應腔室上拆下后，再對進氣孔進行清洗，這就使得對上電極裝置中的進氣孔的清洗維護的難度大，且成本高。

發明內容

本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種進氣裝置及反應腔室，其能夠方便的對進氣裝置進行清理，降低進氣裝置的維護成本。

為實現本發明的目的而提供一種進氣裝置，包括進氣本體和噴嘴，所述進氣本體的上端面設有環形凹道，在所述進氣本體的環形凹道處設置有安裝孔，所述噴嘴中設置有進氣孔，所述噴嘴可拆卸的安裝在所述安裝孔中，且所述進氣孔與所述環形凹道連通。

優選的，在所述安裝孔的孔壁上設置有第一凸部；

所述噴嘴的外壁上設置有第二凸部，所述噴嘴的所述第二凸部疊置在所述安裝孔的所述第一凸部上；在所述第一凸部和所述第二凸部相互疊置的兩個表面之間設置有密封圈。

優選的，所述安裝孔的上端開設在所述環形凹道的底部，所述安裝孔的下端開設在所述進氣本體的下端面；所述噴嘴與所述安裝孔間隙配合，所述進氣孔貫通所述噴嘴的兩端，所述進氣孔的上端與所述環形凹道相連通。

優選的，所述安裝孔的上端開設在所述進氣本體的上端面，所述安裝孔的下端開設在所述進氣本體的下端面；

所述噴嘴與所述安裝孔間隙配合，所述噴嘴的上部設有連通槽，所述進氣孔的下端開設在所述噴嘴的下端面，所述進氣孔的上端通過所述連通槽與所述環形凹道相連通。

優選的，所述噴嘴的材料包括陶瓷或者石英。

優選的，在所述安裝孔的孔壁上設置有內螺紋；

所述噴嘴的外周壁上設置有與所述內螺紋相配合的外螺紋；所述噴嘴螺紋連接在所述安裝孔內。

優選的，所述安裝孔包括由上而下同軸設置的螺紋孔和擴孔，其中，

所述擴孔的直徑大于所述螺紋孔的直徑；所述螺紋孔的上端開設在所述環形凹道的底部，所述擴孔的下端開設在所述進氣本體的下端面；

所述噴嘴包括由上而下依次設置的第一本體和第二本體，其中，在所述第一本體的外周壁上設置有所述外螺紋并螺紋連接在所述螺紋孔中；所述第二本體設置在所述擴孔中，所述第二本體的直徑大于所述第一本體的直徑；

所述進氣孔貫通所述噴嘴的兩端，所述進氣孔的上端與所述環形凹道相連通。