[發(fā)明專利]大型相移掩模及大型相移掩模的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910135819.1 | 申請日: | 2012-10-19 |
| 公開(公告)號: | CN110083008A | 公開(公告)日: | 2019-08-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 木下一樹;飛田敦;二島悟 | 申請(專利權(quán))人: | 大日本印刷株式會社 |
| 主分類號: | G03F1/26 | 分類號: | G03F1/26;G03F1/46 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 吳秋明 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 相移掩模 遮光膜 相移 鉻化合物 微細圖案 遮光區(qū)域 制造 大尺寸區(qū)域 抗反射膜 氮氧化 反射率 光掩模 氧化鉻 轉(zhuǎn)印 上層 曝光 | ||
本發(fā)明提供一種作為曝光大尺寸區(qū)域的大型光掩模且適合形成微細圖案的構(gòu)成的相移掩模及其制造方法。藉由構(gòu)成為遮光膜以鉻或鉻化合物為主成分,相移膜以氧化鉻乃至氮氧化鉻為主成分,且在上述遮光區(qū)域中在遮光膜上層疊有相移膜,而獲得容易制造且可轉(zhuǎn)印微細圖案的大型相移掩模。另外,在遮光膜與相移膜之間,構(gòu)成為還具有包含鉻化合物的抗反射膜,抑制遮光區(qū)域的反射率。
本申請是2012年10月19日向中國國家知識產(chǎn)權(quán)局提出的題為“大型相移掩模及大型相移掩模的制造方法”的申請No.201280051359.0的分案申請。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種光掩模,尤其涉及一種可用于液晶顯示裝置、電致發(fā)光顯示裝置(EL,electroluminescence)等有源矩陣型顯示裝置的制造的大型光掩模及大型光掩模的制造方法。
背景技術(shù)
用于平板顯示器(簡稱為FPD(Flat Panel Display))制造的光掩模的規(guī)格變化是以使用液晶顯示裝置(簡稱為LCD(Liquid Crystal Display))的薄型電視中常見的大畫面化與高精細化為代表。關(guān)于大畫面化,液晶薄型電視開始量產(chǎn)的1990年當(dāng)時制造中使用的稱為第1代的玻璃基板的尺寸為300mm×400mm,而2002年左右開始用于制造的第5代的玻璃基板的尺寸為1100mm×1300mm,2006年左右開始用于制造的第8代的玻璃基板的尺寸達到2140mm×2460mm。
液晶顯示裝置的高精細化是當(dāng)時在個人計算機用顯示器中不斷推進高像素化。視頻圖形陣列(VGA,Video Graphics Array)顯示器為640×480像素,而擴展圖形陣列(XGA,Extended Graphics Array)顯示器為1024×768像素,高級擴展圖形陣列(SXGA,SuperExtended Graphics Array)顯示器為1280×1024像素,超級擴展圖形陣列(UXGA,UltraExtended Graphics Array)顯示器為1600×1200像素。隨著這些的高像素化,像素間距亦自0.33mm向0.24mm、0.20mm不斷進行微細化。進而,智能型手機等中,4.5型為1280×720像素,且像素間距更達到0.077mm(329ppi)。另外,高精度電視(HDTV,High DefinitionTeleVision)為1920×1080像素,進而亦有插補像素而成為4倍像素數(shù)的3840×2160像素(稱為4K液晶面板)的顯示器。
以下,對制造如上所述的液晶顯示裝置的曝光裝置、及用于曝光裝置的光掩模進行說明。作為代表性液晶顯示裝置的彩色薄膜晶體管(TFT,Thin Film Transistor)液晶顯示裝置的單元是在分別制造的濾色器與TFT陣列基板之間封入液晶而組裝。進而,在液晶顯示單元中,組裝入將影像信號轉(zhuǎn)換為TFT的驅(qū)動信號進行供給的周邊驅(qū)動電路與背光,從而完成液晶顯示模塊。
TFT陣列基板是矩陣狀排列有多個TFT且控制液晶的各像素的顯示(ON)、非顯示(OFF)的基板。作為一例,利用如下步驟進行制造。即,經(jīng)由包含1)在玻璃基板上,圖案形成MoW等柵極電極材料的柵極布線步驟;2)在形成柵極絕緣膜后,島狀地圖案形成A-Si膜的半導(dǎo)體部分形成步驟;3)圖案形成氧化銦錫ITO膜(錫摻雜的氧化銦膜)的透明顯示電極形成步驟;4)在柵極絕緣膜上形成接觸孔的步驟;5)圖案形成Al等導(dǎo)體層,并形成TFT的源極、漏極及信號線的步驟;以及6)在表面上形成絕緣性保護膜的步驟等的制造步驟,制造TFT陣列基板。
用于上述TFT陣列基板制造步驟的各步驟的圖案的形成是使用倍率為1比1的等倍大型掩模,藉由等倍的投影型曝光裝置(亦稱為投影曝光裝置)而曝光。目前,使用該大型掩模的等倍投影曝光方式已成為生產(chǎn)率良好且高精度地圖案形成TFT陣列基板的標(biāo)準(zhǔn)性制造方法。再者,在濾色器的圖案形成中,成本方面有利的接近式曝光方式為標(biāo)準(zhǔn)性制造方法。接近式曝光是使掩模與曝光對象以數(shù)十μm~100μm左右的間隙接近地配置,并自掩模的后方照射平行光的曝光方式。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





