[發明專利]大型相移掩模及大型相移掩模的制造方法

在審

• 申請號: 201910135819.1
• 申請日: 2012-10-19
• 公開（公告）號: CN110083008A
• 公開（公告）日: 2019-08-02
• 發明（設計）人: 木下一樹;飛田敦;二島悟
• 申請（專利權）人: 大日本印刷株式會社
• 主分類號: G03F1/26
• 分類號: G03F1/26;G03F1/46
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 吳秋明

1.一種大型相移掩模，其是具備透明基板、形成在所述透明基板上的遮光膜、及形成在所述透明基板上的半透明的相移膜的相移掩模，其特征在于，

所述相移掩模具備：露出所述透明基板的透射區域、在所述透明基板上設置有所述遮光膜的遮光區域、及在所述透明基板上僅設置有所述相移膜的相移區域，并且所述相移掩模具備：所述透射區域與所述相移區域鄰接的圖案，且在所述透射區域與所述遮光區域之間鄰接地配置有相移區域，透過所述相移區域的曝光光相對于透過所述透射區域的曝光光相位反轉；

所述遮光膜以鉻或鉻化合物為主成分，所述相移膜以氧化鉻或氮氧化鉻為主成分，且在所述遮光區域中，在遮光膜上層疊有相移膜。

2.如權利要求1所述的大型相移掩模，其中，在所述遮光區域的所述遮光膜與所述相移膜之間，還包含抗反射膜。

3.如權利要求1或2所述的大型相移掩模，其中，所述相移區域的寬度是0.25μm以上且3.5μm以下的范圍內的寬度。

4.如權利要求1至3中任意一項所述的大型相移掩模，其中，所述透射區域的最窄部分的寬度是1μm以上且6μm以下的范圍內的寬度。

5.如權利要求1至4中任意一項所述的大型相移掩模，其中，曝光光中的所述相移膜的光透射率是4％以上且15％以下。

6.一種大型相移掩模的制造方法，其是制造如下相移掩模的制造方法，該相移掩模是具備透明基板、形成在所述透明基板上的遮光膜、及形成在所述透明基板上的半透明的相移膜的相移掩模，所述相移掩模具備：露出所述透明基板的透射區域、在所述透明基板上設置有所述遮光膜的遮光區域、及在所述透明基板上僅設置有所述相移膜的相移區域，并且所述相移掩模具備：所述透射區域與所述相移區域鄰接的圖案，且在所述透射區域與所述遮光區域之間鄰接地配置有相移區域，透過所述相移區域的曝光光相對于透過所述透射區域的曝光光相位反轉，其特征在于所述制造方法包括如下步驟：

準備附有光致抗蝕劑的坯料的步驟，其中，在所述透明基板的一面上層疊有以鉻或鉻化合物為材料的遮光膜的坯料上涂布有光致抗蝕劑；

在附有光致抗蝕劑的坯料上，利用描畫裝置將所需圖案曝光、顯影后，進行濕式蝕刻，將光致抗蝕劑去除，以圖案形成遮光膜的步驟；

在所述透明基板及經圖案形成的所述遮光膜上，形成包含鉻化合物的相移膜的步驟；以及

對形成的所述相移膜涂布光致抗蝕劑，利用描畫裝置將所需圖案曝光、顯影后，進行濕式蝕刻，將光致抗蝕劑去除，以圖案形成所述相移膜的步驟。

7.一種大型相移掩模的制造方法，其是制造如下相移掩模的制造方法，該相移掩模是具備透明基板、形成在所述透明基板上的遮光膜、及形成在所述透明基板上的半透明的相移膜的相移掩模；所述相移掩模具備：露出所述透明基板的透射區域、在所述透明基板上設置有所述遮光膜的遮光區域、及在所述透明基板上僅設置有所述相移膜的相移區域，并且所述相移掩模具備：所述透射區域與所述相移區域鄰接的圖案，且在所述透射區域與所述遮光區域之間鄰接地配置有相移區域，透過所述相移區域的曝光光相對于透過所述透射區域的曝光光相位反轉，在所述遮光區域中，在所述遮光膜上層疊有所述相移膜，在所述遮光區域的所述遮光膜與所述相移膜之間，還包含抗反射膜；其特征在于所述制造方法包括如下步驟：

準備附有光致抗蝕劑的坯料的步驟，其中，在所述透明基板的一面上依序層疊有以鉻為主成分的遮光膜、及以鉻的氧化物或鉻的氮氧化物為主成分的抗反射膜的坯料上涂布有光致抗蝕劑；

在附有光致抗蝕劑的坯料上，利用描畫裝置將所需圖案曝光、顯影后，進行濕式蝕刻，將光致抗蝕劑去除，以圖案形成所述遮光膜與所述抗反射膜的步驟；

在所述透明基板及經圖案形成的所述遮光膜與所述抗反射膜上，形成包含鉻化合物的相移膜的步驟；以及

對形成的所述相移膜涂布光致抗蝕劑，利用描畫裝置將所需圖案曝光、顯影后，進行濕式蝕刻，將光致抗蝕劑去除，以圖案形成所述相移膜的步驟。