[發(fā)明專利]包括非同質(zhì)發(fā)射器分布的發(fā)射器陣列有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910131925.2 | 申請日： | 2019-02-22 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN110190518B | 公開（公告）日： | 2022-05-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 婁曉華;D.周;H.德杰 | 申請（專利權(quán)）人： | 朗美通經(jīng)營有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào)： | H01S5/42 | 分類號(hào)： | H01S5/42;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 賀紫秋 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 包括 同質(zhì) 發(fā)射器 分布 陣列 | ||
1.一組垂直腔表面發(fā)射激光器陣列，即VCSEL陣列，包括：
多個(gè)VCSEL中的第一VCSEL子組；和
多個(gè)VCSEL中的第二VCSEL子組，
其中在VCSEL陣列被供電時(shí)要被第一VCSEL子組發(fā)射的一個(gè)或多個(gè)第一光束以及在VCSEL陣列被供電時(shí)要被第二VCSEL子組發(fā)射的一個(gè)或多個(gè)第二光束具有能量強(qiáng)度區(qū)域的不同樣式，
其中能量強(qiáng)度區(qū)域的不同樣式包括各自高能量強(qiáng)度區(qū)域和各自低能量強(qiáng)度區(qū)域；
其中相對于由所述第一VCSEL子組單獨(dú)發(fā)射的一個(gè)或多個(gè)第一光束的第一能量強(qiáng)度分布和由所述第二VCSEL子組單獨(dú)發(fā)射的一個(gè)或多個(gè)第二光束的第二能量強(qiáng)度分布，由VCSEL陣列發(fā)射的光束具有更均勻的能量強(qiáng)度分布，并且
其中由VCSEL陣列發(fā)射的光束的能量強(qiáng)度分布在光束中心部分處的強(qiáng)度低于由VCSEL陣列發(fā)射的光束的能量強(qiáng)度分布的峰值強(qiáng)度。
2.如權(quán)利要求1所述的VCSEL陣列，其中所述不同樣式所基于的是第一VCSEL子組中的VCSEL具有與第二VCSEL子組中的VCSEL不同的取向。
3.如權(quán)利要求1所述的VCSEL陣列，其中所述不同樣式所基于的是第一VCSEL子組中的VCSEL具有與第二VCSEL子組中的VCSEL不同的模式。
4.如權(quán)利要求1所述的VCSEL陣列，其中所述不同樣式所基于的是第一VCSEL子組和第二VCSEL子組的各自高能量強(qiáng)度區(qū)域和各自低能量強(qiáng)度區(qū)域的不同樣式。
5.如權(quán)利要求1所述的VCSEL陣列，其中所述不同樣式所基于的是第一VCSEL子組中的VCSEL具有與第二VCSEL子組中的VCSEL不同的形狀。
6.如權(quán)利要求1所述的VCSEL陣列，其中能量強(qiáng)度區(qū)域的不同樣式使得各自的高能量強(qiáng)度區(qū)域和各自的低能量強(qiáng)度區(qū)域重疊，使得在VCSEL陣列被供電時(shí)要被VCSEL陣列發(fā)射的光束具有比通過第一VCSEL子組發(fā)射的一個(gè)或多個(gè)第一光束的第一能量強(qiáng)度比和通過第二VCSEL子組發(fā)射的一個(gè)或多個(gè)第二光束的第二能量強(qiáng)度比更低的能量強(qiáng)度比，
其中要被VCSEL陣列發(fā)射的光束是一個(gè)或多個(gè)第一光束和一個(gè)或多個(gè)第二光束的會(huì)聚光束。
7.如權(quán)利要求1所述的VCSEL陣列，其中一個(gè)或多個(gè)第一光束和一個(gè)或多個(gè)第二光束的會(huì)聚的第一能量強(qiáng)度分布與從第一VCSEL子組發(fā)射的一個(gè)或多個(gè)第一光束的第二能量強(qiáng)度分布和從第二VCSEL子組發(fā)射的一個(gè)或多個(gè)第二光束的第三能量強(qiáng)度分布不同，
其中所述會(huì)聚的第一能量強(qiáng)度分布是一個(gè)或多個(gè)第一光束的第二能量強(qiáng)度分布和一個(gè)或多個(gè)第二光束的第三能量強(qiáng)度分布的經(jīng)會(huì)聚光束輪廓。
8.一種形成垂直腔表面發(fā)射激光器陣列的方法，即形成VCSEL陣列的方法，包括：
在基板上或中形成多個(gè)VCSEL中的第一VCSEL子組，
其中形成第一VCSEL子組包括形成第一VCSEL子組以使得第一VCSEL子組配置為輸出第一能量強(qiáng)度區(qū)域樣式；和
與形成第一VCSEL子組相關(guān)聯(lián)地在基板上或中形成多個(gè)VCSEL中的第二VCSEL子組，
其中形成第二VCSEL子組包括形成第二VCSEL子組以使得第二VCSEL子組配置為輸出與第一能量強(qiáng)度區(qū)域樣式不同的第二能量強(qiáng)度區(qū)域樣式；
其中所述第一VCSEL子組和所述第二VCSEL子組被形成為使得，相對于由所述第一VCSEL子組單獨(dú)發(fā)射的一個(gè)或多個(gè)第一光束的第一能量強(qiáng)度分布和由所述第二VCSEL子組單獨(dú)發(fā)射的一個(gè)或多個(gè)第二光束的第二能量強(qiáng)度分布，由VCSEL陣列發(fā)射的光束具有更均勻的能量強(qiáng)度分布，并且
其中由VCSEL陣列發(fā)射的光束的能量強(qiáng)度分布在光束中心部分的強(qiáng)度低于由VCSEL陣列發(fā)射的光束的能量強(qiáng)度分布的峰值強(qiáng)度。
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