[發(fā)明專利]包括非同質(zhì)發(fā)射器分布的發(fā)射器陣列有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910131925.2 | 申請日： | 2019-02-22 |
| 公開（公告）號： | CN110190518B | 公開（公告）日： | 2022-05-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 婁曉華;D.周;H.德杰 | 申請（專利權(quán)）人： | 朗美通經(jīng)營有限責(zé)任公司 |
| 主分類號： | H01S5/42 | 分類號： | H01S5/42;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 賀紫秋 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 包括 同質(zhì) 發(fā)射器 分布 陣列 | ||
1.一組垂直腔表面發(fā)射激光器陣列，即VCSEL陣列，包括：
多個VCSEL中的第一VCSEL子組；和
多個VCSEL中的第二VCSEL子組，
其中在VCSEL陣列被供電時要被第一VCSEL子組發(fā)射的一個或多個第一光束以及在VCSEL陣列被供電時要被第二VCSEL子組發(fā)射的一個或多個第二光束具有能量強度區(qū)域的不同樣式，
其中能量強度區(qū)域的不同樣式包括各自高能量強度區(qū)域和各自低能量強度區(qū)域；
其中相對于由所述第一VCSEL子組單獨發(fā)射的一個或多個第一光束的第一能量強度分布和由所述第二VCSEL子組單獨發(fā)射的一個或多個第二光束的第二能量強度分布，由VCSEL陣列發(fā)射的光束具有更均勻的能量強度分布，并且
其中由VCSEL陣列發(fā)射的光束的能量強度分布在光束中心部分處的強度低于由VCSEL陣列發(fā)射的光束的能量強度分布的峰值強度。
2.如權(quán)利要求1所述的VCSEL陣列，其中所述不同樣式所基于的是第一VCSEL子組中的VCSEL具有與第二VCSEL子組中的VCSEL不同的取向。
3.如權(quán)利要求1所述的VCSEL陣列，其中所述不同樣式所基于的是第一VCSEL子組中的VCSEL具有與第二VCSEL子組中的VCSEL不同的模式。
4.如權(quán)利要求1所述的VCSEL陣列，其中所述不同樣式所基于的是第一VCSEL子組和第二VCSEL子組的各自高能量強度區(qū)域和各自低能量強度區(qū)域的不同樣式。
5.如權(quán)利要求1所述的VCSEL陣列，其中所述不同樣式所基于的是第一VCSEL子組中的VCSEL具有與第二VCSEL子組中的VCSEL不同的形狀。
6.如權(quán)利要求1所述的VCSEL陣列，其中能量強度區(qū)域的不同樣式使得各自的高能量強度區(qū)域和各自的低能量強度區(qū)域重疊，使得在VCSEL陣列被供電時要被VCSEL陣列發(fā)射的光束具有比通過第一VCSEL子組發(fā)射的一個或多個第一光束的第一能量強度比和通過第二VCSEL子組發(fā)射的一個或多個第二光束的第二能量強度比更低的能量強度比，
其中要被VCSEL陣列發(fā)射的光束是一個或多個第一光束和一個或多個第二光束的會聚光束。
7.如權(quán)利要求1所述的VCSEL陣列，其中一個或多個第一光束和一個或多個第二光束的會聚的第一能量強度分布與從第一VCSEL子組發(fā)射的一個或多個第一光束的第二能量強度分布和從第二VCSEL子組發(fā)射的一個或多個第二光束的第三能量強度分布不同，
其中所述會聚的第一能量強度分布是一個或多個第一光束的第二能量強度分布和一個或多個第二光束的第三能量強度分布的經(jīng)會聚光束輪廓。
8.一種形成垂直腔表面發(fā)射激光器陣列的方法，即形成VCSEL陣列的方法，包括：
在基板上或中形成多個VCSEL中的第一VCSEL子組，
其中形成第一VCSEL子組包括形成第一VCSEL子組以使得第一VCSEL子組配置為輸出第一能量強度區(qū)域樣式；和
與形成第一VCSEL子組相關(guān)聯(lián)地在基板上或中形成多個VCSEL中的第二VCSEL子組，
其中形成第二VCSEL子組包括形成第二VCSEL子組以使得第二VCSEL子組配置為輸出與第一能量強度區(qū)域樣式不同的第二能量強度區(qū)域樣式；
其中所述第一VCSEL子組和所述第二VCSEL子組被形成為使得，相對于由所述第一VCSEL子組單獨發(fā)射的一個或多個第一光束的第一能量強度分布和由所述第二VCSEL子組單獨發(fā)射的一個或多個第二光束的第二能量強度分布，由VCSEL陣列發(fā)射的光束具有更均勻的能量強度分布，并且
其中由VCSEL陣列發(fā)射的光束的能量強度分布在光束中心部分的強度低于由VCSEL陣列發(fā)射的光束的能量強度分布的峰值強度。
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