[發明專利]包括非同質發射器分布的發射器陣列

有效

• 申請號: 201910131925.2
• 申請日: 2019-02-22
• 公開（公告）號: CN110190518B
• 公開（公告）日: 2022-05-24
• 發明（設計）人: 婁曉華;D.周;H.德杰
• 申請（專利權）人: 朗美通經營有限責任公司
• 主分類號: H01S5/42
• 分類號: H01S5/42;H01S5/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 賀紫秋

垂直腔表面發射激光器(VCSEL)陣列可以包括多個VCSEL中的第一VCSEL子組和多個VCSEL中的第二VCSEL子組。在VCSEL陣列被供電時要被第一VCSEL子組發射的一個或多個第一光束以及在VCSEL陣列被供電時要被第二VCSEL子組發射的一個或多個第二光束可以具有能量強度區域的不同樣式。能量強度區域的不同樣式可以包括各自的高能量強度區域和各自的低能量強度區域。

技術領域

本發明涉及發射器陣列，且更具體地涉及包括非同質(inhomogeneous)的發射器分布以使得發射器陣列的光束輪廓變平的發射器陣列。

背景技術

垂直發射器(例如垂直空腔表面發射激光器(VCSEL))是一種激光器，其中光束沿垂直于基板表面的方向發出(例如從半導體晶片的表面垂直地)。多個垂直發射器可以布置在具有共同基板的陣列中。

發明內容

根據一些可行的實施方式，垂直腔表面發射激光器(VCSEL)陣列可以包括多個VCSEL中的第一VCSEL子組；和多個VCSEL中的第二VCSEL子組，其中在VCSEL陣列被供電時要被第一VCSEL子組發射的一個或多個第一光束以及在VCSEL陣列被供電時要被第二VCSEL子組發射的一個或多個第二光束具有能量強度區域的不同樣式，其中能量強度區域的不同樣式包括各自的高能量強度區域和各自的低能量強度區域。

根據一些可行的實施方式，一種形成垂直腔表面發射激光器(VCSEL)陣列的方法可以包括，在基板上或中形成多個VCSEL中的第一VCSEL子組，其中形成第一VCSEL子組包括形成第一VCSEL子組以使得第一VCSEL子組配置為輸出第一能量強度區域樣式；和與形成第一VCSEL子組相關聯地在基板上或中形成多個VCSEL中的第二VCSEL子組，其中形成第二VCSEL子組包括形成第二VCSEL子組以使得第二VCSEL子組配置為輸出與第一能量強度區域樣式不同的第二能量強度區域樣式。

根據一些可行的實施方式，一種發射器陣列可以包括：多個發射器中的第一發射器子組；和多個發射器中的第二發射器子組，其中在發射器陣列被供電時被第一發射器子組發射的一個或多個第一光束和在發射器陣列被供電時被第二發射器子組發射的一個或多個第二光束具有能量強度區域的不同樣式，其中能量強度區域的不同樣式包括在發射器陣列遠場中至少部分地彼此重疊的各自高能量強度區域和各自低能量強度區域。

根據一些可行的實施方式，一種方法可以包括：通過光學裝置的垂直腔表面發射激光器(VCSEL)陣列在朝向光學裝置的衍射光學元件的光路上發射光，其中VCSEL陣列包括：多個VCSEL中的第一VCSEL子組，和多個VCSEL中的第二VCSEL子組，其中在VCSEL陣列被供電時被第一VCSEL子組發射的一個或多個第一光束和在VCSEL陣列被供電時通過第二VCSEL子組發射的一個或多個第二光束具有能量強度區域的不同樣式，其中能量強度區域的不同樣式包括各自的高能量強度區域和各自的低能量強度區域；和通過衍射光學元件在光路上傳遞光。

根據一些可行的實施方式，一種方法可以包括：通過發射器陣列發射光以用于產生光點樣式，其中發射器陣列包括多個發射器中的第一發射器子組和多個發射器中的第二發射器子組，其中在發射器陣列被供電時要被第一發射器子組發射的一個或多個第一光束和在發射器陣列被供電時要被第二發射器子組發射的一個或多個第二光束具有能量強度區域的不同樣式，其中能量強度區域的不同樣式包括在發射器陣列遠場中至少部分地彼此重疊的各自高能量強度區域和各自低能量強度區域；和通過光點樣式產生器產生光點樣式，其中光點樣式通過包括在光點樣式產生器中的衍射光學元件產生。

附圖說明

圖1A-1E是本文所述的示例性實施方式的示意圖。

圖2A和2B是分別顯示了示例性垂直發射裝置的俯視圖和示例性垂直發射裝置的截面圖的示意圖。

圖3是用于制造發射器陣列的示例性過程的流程圖，該發射器陣列包括非同質發射器分布，以使得發射器陣列的光束輪廓平直。

具體實施方式