[發(fā)明專利]一種紫光光源及其制備方法、以及光學(xué)設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910131005.0
• 申請(qǐng)日: 2019-02-20
• 公開（公告）號(hào): CN109862668B
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 儲(chǔ)漢奇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H05B33/14
• 分類號(hào): H05B33/14;H05B33/20;H05B33/02;H05B33/10
• 代理公司: 北京潤(rùn)澤恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

1.一種紫光光源，在通電條件下發(fā)出紫光，其特征在于，包括襯底、紫光發(fā)光層、第一電極和第二電極，所述紫光發(fā)光層通過(guò)磁控濺射工藝和退火處理形成在所述襯底上，所述第一電極與所述紫光發(fā)光層背離所述襯底的一側(cè)粘接，所述第二電極與所述襯底背離所述紫光發(fā)光層的一側(cè)粘接，所述紫光發(fā)光層包括形成在所述襯底上的鎢薄膜和形成在所述鎢薄膜上的氧化鋁薄膜；

所述鎢薄膜與所述氧化鋁薄膜之間的質(zhì)量比大于或等于1:4.5，且小于或等于1:5.5。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫光光源，其特征在于，所述紫光發(fā)光層的厚度大于或等于500納米，且小于或等于1微米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫光光源，其特征在于，所述襯底的材料包括單晶硅或玻璃。

4.一種紫光光源的制備方法，所述紫光光源在通電條件下發(fā)出紫光，其特征在于，所述方法包括：

提供一襯底、第一電極和第二電極；

在所述襯底上形成紫光發(fā)光層；所述紫光發(fā)光層包括形成在所述襯底上的鎢薄膜和形成在所述鎢薄膜上的氧化鋁薄膜；所述鎢薄膜與所述氧化鋁薄膜之間的質(zhì)量比大于或等于1:4.5，且小于或等于1:5.5；

將所述第一電極與所述紫光發(fā)光層背離所述襯底的一側(cè)粘接，以及將所述第二電極與所述襯底背離所述紫光發(fā)光層的一側(cè)粘接，獲得紫光光源；

所述在所述襯底上形成紫光發(fā)光層，包括：

將鎢靶材、鋁靶材和所述襯底置于濺射腔室中；

在通入氧氣和氬氣的濺射腔室中，通過(guò)磁控濺射工藝對(duì)所述鎢靶材進(jìn)行濺射，以在所述襯底上形成鎢薄膜；

對(duì)所述鋁靶材進(jìn)行濺射，以在所述鎢薄膜上形成氧化鋁薄膜；

在氬氣條件下對(duì)所述鎢薄膜和所述氧化鋁薄膜進(jìn)行退火處理，獲得紫光發(fā)光層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述氧氣與所述氬氣之間的體積比大于或等于0.8:20，且小于或等于2:20。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述磁控濺射工藝在直流電壓條件下對(duì)應(yīng)的濺射功率為60瓦特，所述磁控濺射工藝對(duì)應(yīng)的濺射腔室氣壓為0.5帕斯卡。

7.一種光學(xué)設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的紫光光源。