[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910120155.1
• 申請日: 2019-02-18
• 公開（公告）號: CN110299359A
• 公開（公告）日: 2019-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 崔秉夏;益岡有里;李栗
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L29/06;H01L21/8234
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;陳曉博

提供了一種半導(dǎo)體裝置。所述半導(dǎo)體裝置包括：有源圖案，位于基底上；柵極結(jié)構(gòu)，與有源圖案交叉；源極/漏極圖案，在柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)處位于有源圖案上；接觸插塞，位于源極/漏極圖案上；以及導(dǎo)電圖案，位于源極/漏極圖案與接觸插塞之間，其中，源極/漏極圖案包括與導(dǎo)電圖案相鄰的阻擋層，其中，阻擋層包括氧原子。

于2018年3月21日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交并且名稱為“半導(dǎo)體裝置”的第10-2018-0032791號韓國專利申請通過引用全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

實施例涉及一種半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體裝置可以包括集成電路，該集成電路包括金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。

發(fā)明內(nèi)容

可以通過提供一種半導(dǎo)體裝置實現(xiàn)實施例，該半導(dǎo)體裝置包括：有源圖案，位于基底上；柵極結(jié)構(gòu)，與有源圖案交叉；源極/漏極圖案，在柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)處位于有源圖案上；接觸插塞，位于源極/漏極圖案上；以及導(dǎo)電圖案，位于源極/漏極圖案與接觸插塞之間，其中，源極/漏極圖案包括與導(dǎo)電圖案相鄰的阻擋層，其中，阻擋層包括氧原子。

可以通過提供一種半導(dǎo)體裝置實現(xiàn)實施例，該半導(dǎo)體裝置包括：有源圖案，位于基底上；柵極結(jié)構(gòu)，與有源圖案交叉；源極/漏極圖案，在柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)處位于有源圖案上；以及導(dǎo)電圖案，位于源極/漏極圖案上，其中，源極/漏極圖案包括：第一半導(dǎo)體圖案和第二半導(dǎo)體圖案，順序地堆疊在有源圖案上；以及阻擋層，位于第二半導(dǎo)體圖案的至少一部分與導(dǎo)電圖案之間，其中，阻擋層包括氧原子。

附圖說明

通過參照附圖詳細(xì)地描述示例性實施例，特征對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將明顯，在附圖中：

圖1示出了根據(jù)示例性實施例的半導(dǎo)體裝置的平面圖。

圖2示出了沿著圖1的線I-I'和線II-II'截取的剖視圖。

圖3A示出了示出圖2的部分A的放大圖。

圖3B、圖3C和圖3D示出了示出根據(jù)示例性實施例的圖2的部分A的放大圖。

圖4至圖8示出了沿著圖1的線I-I'和線II-II'截取的剖視圖，并且示出了根據(jù)示例性實施例的制造半導(dǎo)體裝置的方法中的階段。

圖9A示出了示出圖8的部分B的放大圖。

圖9B至圖9D示出了圖8的部分B的放大圖，并且示出了根據(jù)示例性實施例的制造半導(dǎo)體裝置的方法中的階段。

圖10示出了示出根據(jù)示例性實施例的半導(dǎo)體裝置的平面圖。

圖11示出了沿著圖10的線I-I'和線II-II'截取的剖視圖。

圖12至圖16示出了沿著圖10的線I-I'和線II-II'截取的剖視圖，并且示出了根據(jù)示例性實施例的制造半導(dǎo)體裝置的方法中的階段。

具體實施方式

圖1示出了根據(jù)示例性實施例的半導(dǎo)體裝置的平面圖。圖2示出了沿著圖1的線I-I'和線II-II'截取的剖視圖。圖3A示出了示出圖2的部分A的放大圖。

參照圖1和圖2，有源圖案ACT可以設(shè)置在基底100上。有源圖案ACT可以從基底100沿與基底100的底表面100B垂直的方向突出。有源圖案ACT可以在與基底100的底表面100B平行的第一方向D1上延伸或沿與基底100的底表面100B平行的第一方向D1延伸。基底100可以是硅基底、鍺基底或絕緣體上硅(SOI)基底。有源圖案ACT可以包括與基底100的材料相同的材料。