[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201910120155.1
• 申請日: 2019-02-18
• 公開（公告）號: CN110299359A
• 公開（公告）日: 2019-10-01
• 發明（設計）人: 崔秉夏;益岡有里;李栗
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L29/06;H01L21/8234
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;陳曉博

1.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：

有源圖案，位于基底上；

柵極結構，與有源圖案交叉；

源極/漏極圖案，在柵極結構的一側處位于有源圖案上；

接觸插塞，位于源極/漏極圖案上；以及

導電圖案，位于源極/漏極圖案與接觸插塞之間，

其中，源極/漏極圖案包括與導電圖案相鄰的阻擋層，并且

其中，阻擋層包括氧原子。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，源極/漏極圖案的最下表面比有源圖案的最上表面靠近基底。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，導電圖案包括金屬-半導體化合物。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，導電圖案包括金屬硅化物。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中：

源極/漏極圖案覆蓋導電圖案的底表面和側表面，并且

阻擋層與導電圖案的底表面和側表面平行地延伸。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，當在剖面中觀看時，阻擋層具有U形形狀。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，阻擋層包括氧化硅。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中：

源極/漏極圖案還包括摻雜有雜質的半導體圖案，并且

阻擋層置于半導體圖案的至少一部分與導電圖案之間。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，雜質包括P型雜質或N型雜質。

10.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，導電圖案與阻擋層接觸。

11.根據權利要求1所述的半導體裝置，所述半導體裝置還包括在有源圖案的相對側處位于基底上的多個器件隔離圖案，

其中，有源圖案在第一方向上延伸，

其中，柵極結構在第二方向上延伸，

其中，所述多個器件隔離圖案在第二方向上彼此分隔開，并且有源圖案置于所述多個器件隔離圖案之間，

其中，有源圖案包括作為鰭形有源區的有源鰭，

其中，有源鰭從所述多個器件隔離圖案的上表面突出，并且

其中，柵極結構覆蓋有源鰭的相對的側表面。

12.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：

有源圖案，位于基底上；

柵極結構，與有源圖案交叉；

源極/漏極圖案，在柵極結構的一側處位于有源圖案上；以及

導電圖案，位于源極/漏極圖案上，

其中，源極/漏極圖案包括：第一半導體圖案和第二半導體圖案，順序地堆疊在有源圖案上；以及阻擋層，位于第二半導體圖案的至少一部分與導電圖案之間，并且

其中，阻擋層包括氧原子。

13.根據權利要求12所述的半導體裝置，其中，導電圖案包括金屬-半導體化合物。

14.根據權利要求12所述的半導體裝置，其中：

第二半導體圖案覆蓋導電圖案的底表面和側表面，并且

阻擋層與導電圖案的底表面和側表面平行地延伸。

15.根據權利要求14所述的半導體裝置，其中，當在剖面中觀看時，阻擋層具有U形形狀。

16.根據權利要求14所述的半導體裝置，其中，第一半導體圖案覆蓋第二半導體圖案的底表面和側表面。

17.根據權利要求16所述的半導體裝置，其中，當在剖面中觀看時，第一半導體圖案具有U形形狀。