[發(fā)明專利]一種芯片封裝結(jié)構(gòu)及可調(diào)衰減裝置

在審

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• 申請日: 2019-02-15
• 公開（公告）號: CN109633823A
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳蓮;謝紅;楊代榮;緒海波
• 申請（專利權(quán)）人: 昂納信息技術(shù)（深圳）有限公司
• 主分類號: G02B6/26
• 分類號: G02B6/26;G02B6/32;B81B7/00
• 代理公司: 深圳市道臻知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44360
• 代理人: 陳琳

1.一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述芯片封裝結(jié)構(gòu)包括依次堆疊設(shè)置的底座、轉(zhuǎn)接板、墊塊和芯片，所述轉(zhuǎn)接板包括至少部分設(shè)置在非芯片正下方位置的導(dǎo)電膜，所述導(dǎo)電膜與底座的導(dǎo)電端電連接，且通過金屬絲與芯片的引腳連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述底座包括管座，以及至少兩個(gè)設(shè)置在管座且作為導(dǎo)電端的插針，所述導(dǎo)電膜至少設(shè)置兩個(gè)且相互獨(dú)立，所述插針通過金屬絲與對應(yīng)的導(dǎo)電膜連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述插針穿過管座并設(shè)置在轉(zhuǎn)接板的對應(yīng)通孔中。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述底座包括可導(dǎo)電的管座，以及至少兩個(gè)作為導(dǎo)電端的插針，所述導(dǎo)電膜至少設(shè)置兩個(gè)且相互獨(dú)立，所述管座與一作為第一插針的插針連接并通過金屬絲與對應(yīng)導(dǎo)電膜連接，其余所述插針作為第二插針通過金屬絲與對應(yīng)導(dǎo)電膜連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第二插針穿過管座并設(shè)置在轉(zhuǎn)接板的對應(yīng)通孔中，且與管座絕緣設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第二插針與管座的一通孔之間設(shè)置有絕緣層。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述轉(zhuǎn)接板包括一連通管座表面的通孔。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述管座包括設(shè)置在轉(zhuǎn)接板的一通孔內(nèi)且作為金屬絲連接端的凸臺。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述墊塊為絕緣基板。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或9所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述墊塊包括設(shè)置在芯片正下方且用于避空導(dǎo)電端的開口。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述開口設(shè)置在墊塊的兩側(cè)。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述轉(zhuǎn)接板包括陶瓷基座以及設(shè)置在陶瓷基座表面且作為導(dǎo)電膜的鍍金膜。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述陶瓷基座的表面附著有電阻元件，與MEMS芯片的部分/全部引腳并聯(lián)。

14.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述芯片為MEMS芯片。

15.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述芯片包括作為引腳的焊盤，且至少包括一負(fù)極電極和正極電極。

16.一種可調(diào)衰減裝置，其特征在于：所述可調(diào)衰減裝置包括如權(quán)利要求1至15任一所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，以及套設(shè)在芯片封裝結(jié)構(gòu)的底座上的管帽和與管帽的帽口連通的光束準(zhǔn)直器件。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的可調(diào)衰減裝置，其特征在于：所述光束準(zhǔn)直器件包括透鏡和雙光纖頭，所述透鏡設(shè)置在雙光纖頭與芯片之間。

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的可調(diào)衰減裝置，其特征在于：所述芯片封裝結(jié)構(gòu)的芯片為轉(zhuǎn)鏡式MEMS芯片，所述轉(zhuǎn)鏡式MEMS芯片包括負(fù)極和至少一正極；以及，所述導(dǎo)電端和導(dǎo)電膜均設(shè)置相對應(yīng)的數(shù)量且相互獨(dú)立，所述導(dǎo)電膜分別通過金屬絲與對應(yīng)的導(dǎo)電端連接，再通過金屬絲連接到一負(fù)極和對應(yīng)的正極。