[發明專利]一種標記的處理方法、套刻精度的量測方法以及標記

有效

• 申請號: 201910113810.0
• 申請日: 2019-02-14
• 公開（公告）號: CN109932872B
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 郭芳芳;萬浩;陸聰;李偉;高志虎;馮耀斌;盧紹祥
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F9/00
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 高潔;張穎玲

1.一種標記的處理方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

提供基底結構，執行第一次光刻工藝，在所述基底結構的上表面形成第一標記，在所述基底結構的上表面具有圍繞在所述第一標記四周的頂層結構層；

從所述基底結構的上表面向下去除一定厚度的所述頂層結構層，以使所述第一標記與所述頂層結構層具有第一高度差；

所述第一標記用于在硬掩膜層的覆蓋下進行套刻精度的量測。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成第一標記的步驟具體包括：執行所述第一次光刻工藝，形成第一圖案化層；以所述第一圖案化層為掩膜，刻蝕所述基底結構，至少在所述頂層結構層上形成開口；在所述開口內形成所述第一標記。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一標記的材料不同于所述頂層結構層的材料。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除一定厚度的所述頂層結構層通過干法刻蝕工藝完成。

5.一種套刻精度的量測方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

執行權利要求1至4中任意一項所述標記的處理方法中的步驟；

執行第二次光刻工藝；基于所述第一標記進行套刻精度的量測。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述執行第二次光刻工藝的步驟包括：

在所述基底結構的上表面上形成硬掩膜層；在進行所述套刻精度的量測時，所述硬掩膜層未被去除。

7.一種三維存儲器的制備方法，其特征在于，所述方法中包括權利要求1至4中任意一項所述標記的處理方法或者權利要求5至6中任意一項所述的套刻精度的量測方法中的步驟。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一標記為所述三維存儲器的切割道區域內的溝道通孔。

9.一種標記，其特征在于，所述標記凸出于圍繞在其四周的頂層結構層，并且與所述頂層結構層具有第一高度差；所述標記用于進行套刻精度的量測，基于所述第一高度差，使得所述標記在上表面被硬掩膜層覆蓋的情況下能夠通過電子顯微鏡觀察到所述標記與所述頂層結構層之間的界限。

10.根據權利要求9所述的標記，其特征在于，所述標記的材料不同于所述頂層結構層的材料。

11.一種三維存儲器，其特征在于，包括權利要求9或10所述的標記。