[發明專利]互補式金屬氧化物半導體感光組件、防護玻璃模塊及制法

在審

• 申請號: 201910108543.8
• 申請日: 2019-02-03
• 公開（公告）號: CN111524921A
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發明（設計）人: 李遠智;李家銘
• 申請（專利權）人: 同泰電子科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

本發明提供一種互補式金屬氧化物半導體感光組件、防護玻璃模塊及制法，其包括一斗狀的殼體、一互補式金屬氧化物半導體感光芯片、一防護玻璃及一遮光干膜圈，該殼體具有一開口部，該互補式金屬氧化物半導體感光芯片設于該殼體內，該防護玻璃密封該殼體的開口部，且該防護玻璃具有一光入射面，該遮光干膜圈設于該防護玻璃的光入射面，且該遮光干膜圈中界定一光學區，該光學區正對該互補式金屬氧化物半導體感光芯片。藉此，其遮光干膜圈容易成型，且不易損傷防護玻璃表面。

技術領域

本發明是有關于一種能在防護玻璃上準確形成遮光圈的互補式金屬氧化物半導體感光組件、其所用的防護玻璃模塊及該防護玻璃模塊的制法。

背景技術

互補式金屬氧化物半導體(以下簡稱CMOS)被廣泛使用在感光組件中，進而被應用在手機、車載鏡頭等領域。

此類CMOS感光組件常見的問題在于，當CMOS感光組件從陰暗處瞬間進入光亮處時(例如出入隧道時)，CMOS容易產生噪聲。為了解決這樣的問題，目前有人提出將鉬、鉻等黑色金屬蒸鍍在CMOS感光組件的防護玻璃上，后續再通過涂布抗蝕劑、抗蝕劑圖形化、將前述黑色金屬加以蝕刻、最后將抗蝕劑加以剝離的制程，在防護玻璃上形成一遮光圈，藉此減少CMOS感光組件產生噪聲的情形。

然而，前述制程有其缺陷在于，為了避免防護玻璃上留有蝕刻殘留物，且為了形成邊緣整齊的遮光圈，防護玻璃必須被長時間浸漬在蝕刻液中，而這導致防護玻璃表面易被一并蝕刻，造成后續產生反射光斑，且會降低分辨率。

另有人提出使用特制的鋼板將遮光圈印刷在防護玻璃的制程，但此法容易衍生防護玻璃被鋼板刮傷，且為了維持印刷的精準度，鋼板每使用十至二十次就必須要做替換。

有鑒于此，如何解決前述問題，實有待本領域技術人員思量。

發明內容

有鑒于此，本發明提出一種能在防護玻璃上準確形成遮光圈的互補式金屬氧化物半導體感光組件、其所用的防護玻璃模塊及該防護玻璃模塊的制法。

為了達成上述及其他目的，本發明提供一種互補式金屬氧化物半導體感光組件，其包括一斗狀的殼體、一互補式金屬氧化物半導體感光芯片、一防護玻璃及一遮光干膜圈，該殼體具有一開口部，該互補式金屬氧化物半導體感光芯片設于該殼體內，該防護玻璃密封該殼體的開口部，且該防護玻璃具有一光入射面，該遮光干膜圈設于該防護玻璃的光入射面，且該遮光干膜圈中界定一光學區，該光學區正對該互補式金屬氧化物半導體感光芯片。

為了達成上述及其他目的，本發明提供一種用于互補式金屬氧化物半導體感光組件的防護玻璃模塊，該互補式金屬氧化物半導體感光組件包括一斗狀的殼體及一互補式金屬氧化物半導體感光芯片設于該殼體內，該防護玻璃模塊包括一防護玻璃及一遮光干膜圈，該防護玻璃具有一光入射面，該遮光干膜圈設于該防護玻璃的光入射面，且該遮光干膜圈中界定一光學區，該光學區用以正對該互補式金屬氧化物半導體感光芯片。

為了達成上述及其他目的，本發明提供一種用于互補式金屬氧化物半導體感光組件的防護玻璃模塊的制法，該互補式金屬氧化物半導體感光組件包括一斗狀的殼體及一互補式金屬氧化物半導體感光芯片設于該殼體內，該制法包括：A)在一載體膜上涂布一遮光干膜漿料；B)將載體膜上的遮光干膜漿料干燥為遮光干膜層；C)將載體膜上的遮光干膜層層合于一防護玻璃的一光入射面；以及D)移除遮光干膜層的一部份，使遮光干膜層界定一光學區，該光學區用以正對該互補式金屬氧化物半導體感光芯片。

通過上述設計，本發明提出一種具有遮光干膜圈的互補式金屬氧化物半導體感光組件，其遮光干膜圈容易成型，且不易損傷防護玻璃表面。

有關本發明的其它功效及實施例的詳細內容，配合附圖說明如下。

附圖說明