[發明專利]互補式金屬氧化物半導體感光組件、防護玻璃模塊及制法

在審

• 申請號: 201910108543.8
• 申請日: 2019-02-03
• 公開（公告）號: CN111524921A
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發明（設計）人: 李遠智;李家銘
• 申請（專利權）人: 同泰電子科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種互補式金屬氧化物半導體感光組件，其特征在于，包括：

一斗狀的殼體，具有一開口部；

一互補式金屬氧化物半導體感光芯片，設于該殼體內；

一防護玻璃，密封該殼體的開口部，該防護玻璃具有一光入射面；以及

一遮光干膜圈，設于該防護玻璃的光入射面，該遮光干膜圈中界定一光學區，該光學區用以正對該互補式金屬氧化物半導體感光芯片。

2.如權利要求1所述的互補式金屬氧化物半導體感光組件，其特征在于，該光學區的正投影大于該互補式金屬氧化物半導體感光芯片的一受光面。

3.一種用于互補式金屬氧化物半導體感光組件的防護玻璃模塊，其特征在于，該互補式金屬氧化物半導體感光組件包括一斗狀的殼體及一互補式金屬氧化物半導體感光芯片設于該殼體內，該防護玻璃模塊包括：

一防護玻璃，該防護玻璃具有一光入射面；以及

一遮光干膜圈，設于該防護玻璃的光入射面，該遮光干膜圈中界定一光學區，用以正對該殼體的所述互補式金屬感化物半導體感光芯片。

4.如權利要求3所述用于互補式金屬氧化物半導體感光組件的防護玻璃模塊，其特征在于，該光學區的正投影大于該互補式金屬氧化物半導體感光芯片的一受光面。

5.一種用于互補式金屬氧化物半導體感光組件的防護玻璃模塊的制法，其特征在于，該互補式金屬氧化物半導體感光組件包括一斗狀的殼體及一互補式金屬氧化物半導體感光芯片設于該殼體內，該制法包括：

A)在一載體膜上涂布一遮光干膜漿料；

B)將該載體膜上的所述遮光干膜漿料干燥為遮光干膜層；

C)將該載體膜上的所述遮光干膜層層合于一防護玻璃的一光入射面；

D)移除該遮光干膜層的一部份，使該遮光干膜層界定一光學區，用以正對該殼體內的所述互補式金屬氧化物半導體感光芯片。

6.如權利要求5所述用于互補式金屬氧化物半導體感光組件的防護玻璃模塊的制法，其特征在于，在步驟D)之前，更先將該載體膜剝離所述遮光干膜層。

7.如權利要求5所述用于互補式金屬氧化物半導體感光組件的防護玻璃模塊的制法，其特征在于，在步驟D)中，是利用雷射切割移除該遮光干膜層的所述部分。

8.如權利要求5至7中任一項所述用于互補式金屬氧化物半導體感光組件的防護玻璃模塊的制法，其特征在于，在步驟D)之前，該遮光干膜層被加以固化。

9.如權利要求5至7中任一項所述用于互補式金屬氧化物半導體感光組件的防護玻璃模塊的制法，其特征在于，在步驟D)之后，該遮光干膜層被加以固化。

10.如權利要求5至7中任一項所述用于互補式金屬氧化物半導體感光組件的防護玻璃模塊的制法，其特征在于，該光學區的正投影大于該互補式金屬氧化物半導體感光芯片的一受光面。