[發明專利]一種金屬刻槽方法

在審

• 申請號: 201910108225.1
• 申請日: 2019-02-03
• 公開（公告）號: CN109801844A
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: 朱友華;秦佳明;劉軒;李毅;王美玉
• 申請（專利權）人: 南通大學
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213
• 代理公司: 南京同澤專利事務所(特殊普通合伙) 32245
• 代理人: 蔡晶晶

1.一種金屬刻槽方法，包括以下步驟：

S1、使用光刻膠作為掩膜，利用刻蝕氣體在金屬表面刻蝕，形成槽；

S2、利用氧化氣體對槽壁和槽底的金屬進行氧化，形成金屬氧化物；

S3、利用刻蝕氣體對槽底的金屬氧化物進行刻蝕，去除所述槽底的金屬氧化物，保留槽壁的金屬氧化物；

S4、重復步驟S2和S3，直到刻槽深度達到要求為止。

2.根據權利要求1所述的金屬刻槽方法，其特征在于：步驟S3中，刻蝕槽底的金屬氧化物后繼續對槽底露出的金屬進行刻蝕。

3.根據權利要求1所述的金屬刻槽方法，其特征在于：所述氧化氣體為O₂，刻蝕氣體為Cl₂或BCl₃，或兩者的混合。

4.根據權利要求1所述的金屬刻槽方法，其特征在于：步驟S2和步驟S3中，使用電感耦合等離子刻蝕機對金屬進行氧化和刻蝕。

5.根據權利要求4所述的金屬刻槽方法，其特征在于：步驟S2中，氧化的工藝條件是：氧氣流量為70-100sccm，等離子刻蝕機的輸出功率為80-120W，等離子刻蝕機反應腔的偏壓功率為40-60W，等離子刻蝕機反應腔的氣壓為40-60mtorr，氧化時間為10-20s；步驟S3中，刻蝕的工藝條件是：Cl₂的氣體流量為15-40sccm，BCl₃的氣體流量為90-100sccm，等離子刻蝕機的輸出功率為400-600W，等離子刻蝕機反應腔的偏壓功率為40-60W，等離子刻蝕機反應腔的氣壓為10-20mtorr，刻蝕時間為30-60s。

6.根據權利要求5所述的金屬刻槽方法，其特征在于：步驟S3完成后，在腔體內進行CF₄等離子體處理，置換腔體內刻蝕氣體。

7.根據權利要求5所述的金屬刻槽方法，其特征在于：步驟S2和步驟S3交替執行的間隙，使用惰性氣體對金屬槽進行吹掃。

8.根據權利要求5所述的金屬刻槽方法，其特征在于：步驟S3進行時，向等離子刻蝕機反應腔內通入側壁保護劑，所述側壁保護劑為N₂、CHF₃或CH₄中的一種或其混合。

9.根據權利要求7所述的金屬刻槽方法，其特征在于：刻槽結束后，去除金屬表面的光刻膠，并清洗。

10.根據權利要求1所述的金屬刻槽方法，其特征在于：所述金屬為Al。