[發明專利]用于回焊半導體裝置的導電元件的方法及設備

在審

• 申請號: 201910107543.6
• 申請日: 2019-02-02
• 公開（公告）號: CN110164784A
• 公開（公告）日: 2019-08-23
• 發明（設計）人: J·M·戴德里安
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/67
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種回焊位于晶片上的導電元件的方法，其包括：

將激光束朝向包括半導體材料的晶片的表面的至少一個區域引導；及

響應于來自所述激光束的所施加能量而回焊位于所述晶片的所述表面上的所述至少一個區域中的至少一個導電元件。

2.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括：

在引導所述激光束之前，將所述晶片放置于由膜框架支撐的膜上，其中所述晶片的承載所述至少一個導電元件的表面背對所述膜。

3.根據權利要求1所述的方法，其中將所述激光束朝向所述晶片的所述表面的所述至少一個區域引導包括將所述激光束朝向所述晶片的所述表面的所述至少一個區域引導達約1.5秒或更少。

4.根據權利要求1所述的方法，其中將所述激光束朝向所述晶片的所述表面的所述至少一個區域引導包括利用所述激光束來輻照所述至少一個區域的約1,600mm²或更小的表面面積。

5.根據權利要求4所述的方法，其進一步包括選擇性地調整由所述激光束輻照的所述至少一個區域的所述表面面積以施加熱來回焊一個導電元件、同時回焊位于所述晶片的單個裸片位置上的導電元件群組、同時回焊位于所述晶片的單個裸片位置上的所有所述導電元件，或同時回焊位于所述晶片的多個鄰近預期位置上的所有所述導電元件。

6.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括致使所述激光束以約120W或更小的平均功率進行發射。

7.根據權利要求1所述的方法，其中將激光束朝向所述晶片的所述表面的所述至少一個區域引導包括引導具有處于光譜的紅外或可見綠色區域中的波長的激光束。

8.根據權利要求1所述的方法，其中將所述激光束朝向所述晶片的所述表面的所述至少一個區域引導包括將所述激光束朝向半導體裝置位置引導，所述半導體裝置位置由所述半導體材料的位于所述半導體裝置位置之間的深蝕道橫向分離。

9.根據權利要求1所述的方法，其中將所述激光束朝向所述晶片的所述表面的所述至少一個區域引導包括將所述激光束朝向半導體裝置位置引導，所述半導體裝置位置由聚合物區域橫向分離。

10.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括將所述激光束同時朝向位于所述晶片的所述表面的所述至少一個區域內的多個半導體裝置位置引導。

11.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括在將所述激光束朝向所述晶片的所述表面的所述至少一個區域引導的同時以脈沖方式輸送所述激光束。

12.根據權利要求1到4及6到11中任一權利要求所述的方法，其中回焊位于所述晶片的所述表面上的所述至少一個區域中的所述至少一個導電元件包括將所述至少一個導電元件加熱到約360℃或更低的溫度。

13.根據權利要求1到4及6到11中任一權利要求所述的方法，其進一步包括在將所述激光束朝向所述至少一個區域引導的同時監測所述至少一個區域的至少一部分的表面溫度。

14.根據權利要求1到4及6到11中任一權利要求所述的方法，其進一步包括：將具有不可由所述至少一個導電元件的處于液態中的材料濕潤的材料的模板放置于所述激光束的源與所述晶片的所述表面之間，所述模板包括延伸穿過所述模板的孔，所述孔中的至少一者與所述至少一個導電元件大體上對準；以及采用所述模板作為散熱器來吸收、反射或重新引導來自所述所引導激光束的熱。

15.根據權利要求1到4及6到11中任一權利要求所述的方法，其中將所述激光束朝向所述晶片的所述表面的所述至少一個區域引導包括將所述激光束朝向所述至少一個區域引導，所述至少一個區域具有位于所述晶片的所述表面上的助熔劑材料。