[發明專利]用于回焊半導體裝置的導電元件的方法及設備

在審

• 申請號: 201910107543.6
• 申請日: 2019-02-02
• 公開（公告）號: CN110164784A
• 公開（公告）日: 2019-08-23
• 發明（設計）人: J·M·戴德里安
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/67
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請案涉及用于回焊半導體裝置的導電元件的方法及設備。回焊位于晶片上的導電元件的方法可涉及將激光束朝向被支撐于膜框架的膜上的晶片的表面的區域引導，以回焊位于所述晶片的所述表面上的至少一個導電元件。在一些實施例中，可在激光回焊之前將所述晶片從載體襯底拆離并固定到所述膜框架。還揭示用于執行所述方法的設備，以及修復位于晶片上的先前經回焊導電元件的方法。

優先權主張

本申請案主張2018年2月15日提出申請的美國專利申請案第15/898,019號“用于回焊半導體裝置的導電元件的方法及設備(METHODS AND APPARATUSES FOR REFLOWINGCONDUCTIVE ELEMENTS OF SEMICONDUCTOR DEVICES)”的申請日期的權益。

技術領域

本發明一般來說涉及半導體處理且涉及用于制作及修復半導體裝置的方法及設備。更具體來說，所揭示實施例涉及用于使用局部化定向能量來回焊位于半導體裝置及包括半導體材料的晶片上的導電元件的方法及設備。

背景技術

包括半導體材料的晶片用于從其上形成集成電路的半導體裝置位置陣列來每晶片制作眾多半導體裝置，此后將位于那些位置處的半導體裝置分離或“單個化”，如工業中已知。另外，包括固定于基質材料中的先前經單個化半導體裝置陣列的所謂的“經重構”晶片可用于制作半導體裝置封裝。在任一情形中，可在處置及處理期間將晶片常規地支撐于載體襯底上以減少由處置及處理的應力所致的晶片的翹曲及損壞。舉例來說，當在晶片的表面上形成例如焊球或焊料尖端導電柱等導電元件時以及在晶片通過后續制造過程及處置而進行移動期間，可將所述晶片支撐于載體襯底上且暫時固定到所述載體襯底。舉例來說，當將承載導電元件的晶片引入到爐中以進行導電元件的整體回焊時，晶片可保持固定到載體襯底。在回焊之后，可從晶片移除載體襯底，此可需要使用所施加力、所施加熱、溶劑或者前述技術的組合或子組合。

發明內容

在一些實施例中，回焊位于晶片上的導電元件的方法可涉及將激光束朝向包括半導體材料的晶片的表面的至少一個區域引導。可響應于來自所述激光束的所施加能量而回焊位于所述晶片的所述表面上的所述至少一個區域中的至少一個導電元件。

在其它實施例中，回焊位于晶片上的導電元件的方法可涉及將包括半導體材料的晶片從支撐所述晶片的載體襯底拆離。可將所述晶片固定到膜，其中位于所述晶片的表面上的導電元件背對所述膜。可將激光束朝向所述晶片的所述表面的區域引導。可響應于來自所述激光束的所施加能量而回焊位于所述晶片的所述表面上的所述區域中的所述導電元件中的至少一些導電元件。

在其它實施例中，修復位于一或多個半導體結構上的導電元件的方法可涉及將激光束朝向位于一或多個半導體結構上的先前經回焊導電元件引導，所述先前經回焊導電元件被確定為有缺陷的，從而再次回焊所述有缺陷的導電元件。

在仍其它實施例中，用于熱處理位于半導體結構上的導電元件的系統可包含：用于產生處于紅外或可見綠色光譜中的激光束的設備，所述設備經配置以選擇性地調整輻照的表面面積。用于控制所述激光束的路徑的設備可以可操作方式耦合到所述用于產生激光束的設備。紅外溫度傳感器可經配置以在由所述激光束進行輻照期間測量表面的溫度。用于支撐半導體結構的膜可具備表面，所述表面在由所述用于產生激光束的設備產生的所述激光束輻照所述半導體結構的所述表面的同時承載預成形導電元件或者粘結劑中的離散導電元件材料團塊中的一者。

附圖說明

盡管本發明以尤其指出且明顯地主張特定實施例的權利要求書結束，但當結合附圖一起閱讀時可依據以下描述較容易地確定在本發明的范圍內的實施例的各種特征及優點，其中：

圖1是在制作半導體裝置的方法中的第一階段期間的晶片的透視俯視圖；

圖2是在制作半導體裝置的方法的第一階段期間的晶片的另一實施例的透視俯視圖；