[發明專利]半導體封裝件

在審

• 申請號: 201910097843.0
• 申請日: 2019-01-31
• 公開（公告）號: CN110858571A
• 公開（公告）日: 2020-03-03
• 發明（設計）人: 李在彥;陳韓娜;鄭泰成;高永寬;卞貞洙
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 馬金霞;劉奕晴

本公開提供一種包括有機中介器的半導體封裝件，所述包括有機中介器的半導體封裝件包括：半導體芯片；連接構件，位于所述半導體芯片上并且包括焊盤層、重新分布層以及絕緣層；結合構件，位于所述半導體芯片和所述焊盤層之間；表面處理層，位于所述焊盤層上并且包括至少一個金屬層；以及凸塊下金屬(UBM)層，嵌入在所述連接構件中。所述UBM層包括：UBM焊盤、位于所述UBM焊盤上的至少一個鍍層以及UBM過孔。所述表面處理層僅設置在所述焊盤層的一個表面上，并且所述鍍層僅設置在所述UBM焊盤的一個表面上，并且所述鍍層的側表面的至少一部分與所述絕緣層的圍繞所述鍍層的側表面間隔開。

本申請要求于2018年8月22日在韓國知識產權局提交的第10-2018-0097953號韓國專利申請的優先權的權益，該韓國專利申請的公開內容通過引用被全部包含于此。

技術領域

本公開涉及一種包括有機中介器的半導體封裝件。

背景技術

隨著高端設備和高帶寬存儲器(HBM)的采用，中介器市場正在增長。目前，硅已被用作中介器中的主要材料，但正在開發用于大規模和低成本制造的玻璃和有機方法。中介器到設備的主板的連接部分稱為凸塊下金屬(UBM)層，并且連接部分的可靠性在很大程度上受這種UBM層的結構影響，因此存在優化這種UMB層的結構的需求。

具體地，已經對這種UBM層進行了各種表面處理以改善結合可靠性。這種表面處理主要使用無電鍍覆。在這種情況下，表面處理層設置在焊盤的側表面上以及焊盤的上表面上，因此，在UBM層結合到焊料之后會發生各種缺陷。

發明內容

本公開的一方面可提供一種包括有機中介器的半導體封裝件，該包括有機中介器的半導體封裝件能夠簡化工藝并防止在表面處理層和UBM層中的缺陷的發生。

由本公開提出的解決方案中的一個可通過電解鍍覆在連接構件的上部和下部處的焊盤的僅一個表面上分別形成表面處理層和UBM層的鍍層，并且可使用逆鍍覆法形成UBM層的鍍層。

根據本公開的一方面，一種包括有機中介器的半導體封裝件可包括半導體芯片、連接構件、結合構件、表面處理層以及凸塊下金屬層，所述半導體芯片具有其上設置有連接焊盤的有效表面，所述連接構件設置在所述半導體芯片的所述有效表面上并且包括設置在所述連接構件的上表面上的焊盤層、電連接到所述連接焊盤的重新分布層以及絕緣層，所述結合構件設置在所述半導體芯片的所述連接焊盤和所述連接構件的所述焊盤層之間以將所述半導體芯片與所述連接構件連接，所述表面處理層設置在所述連接構件的所述焊盤層的上表面上并且包括至少一個金屬層，所述凸塊下金屬(UBM)層嵌入在所述連接構件中并且電連接到所述連接構件的所述重新分布層。所述UBM層可包括：UBM焊盤，嵌入在所述連接構件的所述絕緣層中；至少一個鍍層，設置在所述UBM焊盤上；以及UBM過孔，貫穿所述連接構件的所述絕緣層的至少一部分并且將所述連接構件的所述重新分布層與所述UBM焊盤電連接。所述表面處理層可僅設置在所述焊盤層的面對所述結合構件的一個表面上，并且所述UBM層的所述鍍層可僅設置在所述UBM焊盤的與所述UBM過孔相對的一個表面上，并且所述UBM層的所述鍍層的側表面的至少一部分可與所述連接構件的所述絕緣層的圍繞所述UBM層的所述鍍層的側表面間隔開。