[發明專利]半導體封裝件

在審

• 申請號: 201910097843.0
• 申請日: 2019-01-31
• 公開（公告）號: CN110858571A
• 公開（公告）日: 2020-03-03
• 發明（設計）人: 李在彥;陳韓娜;鄭泰成;高永寬;卞貞洙
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 馬金霞;劉奕晴

1.一種半導體封裝件，所述半導體封裝件包括：

半導體芯片，具有有效表面，所述有效表面上設置有連接焊盤；

連接構件，設置在所述半導體芯片的所述有效表面上，并且所述連接構件包括：焊盤層，設置在所述連接構件的上表面上；重新分布層，電連接到所述連接焊盤；以及絕緣層；

結合構件，設置在所述半導體芯片的所述連接焊盤和所述連接構件的所述焊盤層之間，以將所述半導體芯片與所述連接構件連接；

表面處理層，設置在所述連接構件的所述焊盤層的上表面上并且包括至少一個金屬層；以及

凸塊下金屬層，嵌入在所述連接構件中并且電連接到所述連接構件的所述重新分布層，

其中，所述凸塊下金屬層包括：凸塊下金屬焊盤，嵌入在所述連接構件的所述絕緣層中；至少一個鍍層，設置在所述凸塊下金屬焊盤上；以及凸塊下金屬過孔，貫穿所述連接構件的所述絕緣層的至少一部分并且將所述連接構件的所述重新分布層與所述凸塊下金屬焊盤電連接，并且

所述表面處理層僅設置在所述焊盤層的面對所述結合構件的一個表面上，并且所述凸塊下金屬層的所述鍍層僅設置在所述凸塊下金屬焊盤的與所述凸塊下金屬過孔相對的一個表面上。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述凸塊下金屬層的所述鍍層的側表面的至少一部分與所述連接構件的所述絕緣層的圍繞所述凸塊下金屬層的所述鍍層的側表面間隔開。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述表面處理層和所述凸塊下金屬層的所述鍍層包括相同的電解金屬層。

4.根據權利要求3所述的半導體封裝件，其中，所述表面處理層包括包含金的第一鍍層以及設置在所述焊盤層和所述第一鍍層之間并且包含鎳的第二鍍層，并且

所述凸塊下金屬層的所述鍍層包括包含金的第三鍍層以及設置在所述凸塊下金屬焊盤和所述第一鍍層之間并包含鎳的第四鍍層。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝件，所述半導體封裝件還包括：

電連接結構，設置在所述凸塊下金屬層的所述鍍層上。

6.根據權利要求5所述的半導體封裝件，其中，所述電連接結構在所述凸塊下金屬層的所述鍍層的側表面的至少一部分與所述連接構件的所述絕緣層之間延伸。

7.根據權利要求5所述的半導體封裝件，其中，在所述凸塊下金屬層的所述鍍層的側表面的至少一部分與所述連接構件的所述絕緣層之間存在氣隙。

8.根據權利要求5所述的半導體封裝件，所述半導體封裝件還包括：

樹脂層，圍繞所述半導體芯片和所述連接構件之間的所述結合構件，

其中，所述焊盤層的側表面與所述樹脂層接觸，并且所述凸塊下金屬層的所述鍍層的側表面的至少一部分與所述電連接結構接觸。

9.根據權利要求5所述的半導體封裝件，其中，所述電連接結構的直徑大于所述結合構件的直徑。

10.根據權利要求1所述的半導體封裝件，所述半導體封裝件還包括：

樹脂層，圍繞所述半導體芯片和所述連接構件之間的所述結合構件，

其中，所述焊盤層的側表面與所述結合構件或所述樹脂層接觸，并且所述凸塊下金屬層的所述鍍層的側表面的至少一部分暴露于外部。

11.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述表面處理層的直徑小于所述凸塊下金屬層的所述鍍層的直徑。

12.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述半導體芯片包括處理器芯片和存儲器芯片，并且

所述處理器芯片和所述存儲器芯片通過所述連接構件電連接。

13.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述連接構件的所述絕緣層利用有機材料制成。