[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光單元及其封裝方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910097530.5 | 申請日： | 2019-01-31 |
| 公開（公告）號： | CN111509102A | 公開（公告）日： | 2020-08-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 杜雅琴;郭宏瑋;楊宇璔 | 申請（專利權(quán)）人： | 致伸科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/48 | 分類號： | H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人： | 張福根 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 發(fā)光 單元 及其 封裝 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光單元的封裝方法，包括下列步驟：
(a).提供一透明基板；
(b).形成一透明薄膜線路層于該透明基板的一表面上；
(c).以覆晶制程將一半導(dǎo)體發(fā)光芯片安裝于該透明薄膜線路層之上，使該半導(dǎo)體發(fā)光芯片與該透明薄膜線路層電性連接；
(d).形成一封裝膠體于該半導(dǎo)體發(fā)光芯片的安裝位置，使該封裝膠體覆蓋該半導(dǎo)體發(fā)光芯片及部分的該透明薄膜線路層；以及
(e).烘干該封裝膠體。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光單元的封裝方法，其中于步驟(a)中，該透明基板的材質(zhì)為：玻璃、陶瓷、硅氧樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、氧化鋁或氮化鋁。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光單元的封裝方法，其中于步驟(b)中，該透明薄膜線路層的材質(zhì)為一高分子氧化物，該高分子氧化物為：二氧乙基噻吩/聚苯乙烯磺酸、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、銦錫鋅氧化物、氧化鉿、氧化鋅、氧化鋁、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、鎘錫氧化物或鎘鋅氧化物。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光單元的封裝方法，其中于步驟(c)中，該半導(dǎo)體發(fā)光芯片具有一上表面、相對于該上表面的一下表面及介于該上表面與該下表面之間的多個側(cè)表面，該上表面及所述多個側(cè)表面用以出射光線。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體發(fā)光單元的封裝方法，其中至少一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)形成于該下表面及該透明薄膜線路層之間，該至少一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)用以結(jié)合該半導(dǎo)體發(fā)光芯片與該透明薄膜線路層，該至少一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為：透明高分子導(dǎo)電材料、銀膠、異方性導(dǎo)電薄膜、異方性導(dǎo)電膠或其組合。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光單元的封裝方法，其中于步驟(d)中，該封裝膠體的材質(zhì)為：硅膠、環(huán)氧樹脂、環(huán)氧硅膠混合樹脂、聚氨酯膠或其組合。
7.一種半導(dǎo)體發(fā)光單元，包括：
一透明基板；
一透明薄膜線路層，設(shè)置于該透明基板的一表面上；
一半導(dǎo)體發(fā)光芯片，該半導(dǎo)體發(fā)光芯片是以覆晶制程安裝于該透明薄膜線路層之上，使該半導(dǎo)體發(fā)光芯片與該透明薄膜線路層電性連接；以及
一封裝膠體，形成于該半導(dǎo)體發(fā)光芯片的安裝位置，該封裝膠體用以覆蓋該半導(dǎo)體發(fā)光芯片及部分的該透明薄膜線路層。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光單元，其中該半導(dǎo)體發(fā)光芯片具有一上表面、相對于該上表面的一下表面及介于該上表面與該下表面之間的多個側(cè)表面，該上表面及所述多個側(cè)表面用以出射光線。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體發(fā)光單元，其中至少一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)形成于該下表面及該透明薄膜線路層之間，該至少一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)用以結(jié)合該半導(dǎo)體發(fā)光芯片與該透明薄膜線路層，該至少一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為：透明高分子導(dǎo)電材料、銀膠、異方性導(dǎo)電薄膜、異方性導(dǎo)電膠或其組合。
10.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光單元，其中該透明基板的材質(zhì)為：玻璃、陶瓷、硅氧樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、氧化鋁或氮化鋁。
11.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光單元，其中該透明薄膜線路層的材質(zhì)為一高分子氧化物，該高分子氧化物為：二氧乙基噻吩/聚苯乙烯磺酸、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、銦錫鋅氧化物、氧化鉿、氧化鋅、氧化鋁、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、鎘錫氧化物、鎘鋅氧化物或其組合。
12.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光單元，其中該封裝膠體用以形成一透明聚光結(jié)構(gòu)。
13.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光單元，其中該封裝膠體用以形成一透明保護結(jié)構(gòu)，該透明保護結(jié)構(gòu)的表面平行于該半導(dǎo)體發(fā)光芯片的表面及該透明薄膜線路層的表面。
14.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光單元，其中該封裝膠體的材質(zhì)為：硅膠、環(huán)氧樹脂、環(huán)氧硅膠混合樹脂、聚氨酯膠或其組合。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于致伸科技股份有限公司，未經(jīng)致伸科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910097530.5/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
