[發明專利]冷卻系統有效
| 申請號: | 201910096781.1 | 申請日: | 2019-01-31 |
| 公開(公告)號: | CN110164792B | 公開(公告)日: | 2023-05-12 |
| 發明(設計)人: | 山口伸;三森章祥 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 冷卻系統 | ||
1.一種冷卻系統,其使制冷劑在用于載置被處理體的載置臺的載置面下進行循環,所述冷卻系統的特征在于,包括:
熱交換部,其設置于所述載置臺內,經由該載置臺的所述載置面利用制冷劑進行熱交換;
與所述熱交換部連接的供給線路和第一排出線路;
經由所述供給線路和所述第一排出線路與所述熱交換部連接的冷卻單元;和
第二排出線路,
所述熱交換部包括:
貯存室,其用于貯存從所述冷卻單元經由所述供給線路供給的制冷劑;和
使貯存于所述貯存室的制冷劑蒸發的蒸發室,
所述貯存室經由所述供給線路與所述冷卻單元連接,經由多個管與所述蒸發室連通,
所述蒸發室經由所述第一排出線路與所述冷卻單元連接,沿著所述載置面延伸,具有多個噴射口,
所述噴射口設置于所述管的一端,配置成從所述管向所述蒸發室的內壁中位于所述載置面一側的導熱壁噴射制冷劑,
從所述載置面上看時,多個所述噴射口在該載置面內分散地配置,
所述第二排出線路將所述蒸發室和所述冷卻單元連接,并與在該蒸發室中在所述噴射口的上方延伸的氣體擴散區域連接。
2.如權利要求1所述的冷卻系統,其特征在于:
所述第一排出線路與在所述蒸發室中在所述噴射口的下方延伸的積液區域連接。
3.如權利要求1或2所述的冷卻系統,其特征在于:
所述蒸發室包括在所述載置臺內彼此隔開間隔的多個第一分室,
所述貯存室包括在所述載置臺內彼此隔開間隔的多個第二分室,
所述第一分室具有所述噴射口,從所述載置面上看時在該載置面內分散地配置,
所述第二分室經由所述管與所述第一分室連通,
所述第一排出線路包括多個第一分支線路,
多個所述第一分支線路中的各個所述第一分支線路與多個所述第一分室中的各個所述第一分室連接,
所述供給線路包括多個第二分支線路,
多個所述第二分支線路中的各個所述第二分支線路與多個所述第二分室中的各個所述第二分室連接。
4.如權利要求3所述的冷卻系統,其特征在于,還包括:
設置于多個所述第二分支線路中的各個所述第二分支線路的多個閥;和
控制部,其通過調節多個所述閥中的各個所述閥的開度,來調節向多個所述第二分室分別供給的制冷劑的流量。
5.如權利要求3所述的冷卻系統,其特征在于:
包括多個所述冷卻單元,
多個所述冷卻單元中的各個所述冷卻單元,對彼此連通的一組所述第二分室和所述第一分室進行制冷劑的供給和排出。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





