[發明專利]冷卻系統

有效

• 申請號: 201910096781.1
• 申請日: 2019-01-31
• 公開（公告）號: CN110164792B
• 公開（公告）日: 2023-05-12
• 發明（設計）人: 山口伸;三森章祥
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/687
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

本發明能夠降低在對載置于載置臺的表面的被處理體進行去熱時每個部位的偏差。一實施方式的冷卻系統包括：使制冷劑在載置臺的載置面下循環，設置于載置臺內的經由載置面利用制冷劑進行熱交換的熱交換部；和與熱交換部連接的冷卻單元，熱交換部包括：用于貯存從冷卻單元供給的制冷劑的貯存室；和使貯存于貯存室的制冷劑蒸發的蒸發室，貯存室與冷卻單元連接且與蒸發室連通，蒸發室與冷卻單元連接且沿著載置面的延伸并具有多個噴射口，噴射口配置成向蒸發室的內壁中位于載置面一側的導熱壁噴射制冷劑，從載置面上看時，多個噴射口在載置面內分散地配置。

技術領域

本發明的實施方式涉及一種冷卻系統。

背景技術

在半導體制造裝置中，利用等離子體處理等對晶片等被處理體進行成膜和蝕刻等加工的情況下，在加工時需要調節被處理體的溫度。專利文獻1～專利文獻5各自公開了調節被處理體的溫度的技術。例如，在半導體制造裝置中，在能夠減壓的處理容器內，具有用于支承被處理體的載置臺。這樣的載置臺具有例如使用制冷劑等來調節被處理體的溫度的功能。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2015-144242號公報

專利文獻2：日本特表2015-520943號公報

專利文獻3：日本特開2013-077859號公報

專利文獻4：日本特開2012-28811號公報

專利文獻5：日本特開2008-186856號公報

發明內容

發明想要解決的技術問題

設置于載置臺的制冷劑的流路有時在載置臺的內部具有例如較長地彎曲的形狀。由于這樣的載置臺內的流路的形狀而導致在制冷劑的供給口與排出口之間產生壓力差，因該壓力差在載置臺的表面根據部位不同而使用制冷劑去熱時產生偏差，因此，可能發生無法有效地調節載置于載置臺的被處理體內的溫度的情況。因此，期望一種降低在對載置于載置臺的表面的被處理體去熱時每個部位的偏差的技術。

用于解決技術問題的技術方案

在一個方式中，提供一種在用于使制冷劑載置被處理體的載置臺的載置面下循環的冷卻系統。該冷卻系統包括：熱交換部，其設置于載置臺內，經由該載置臺的載置面利用制冷劑進行熱交換；與熱交換部連接的供給線路和第一排出線路；和經由供給線路和第一排出線路與熱交換部連接的冷卻單元。熱交換部包括：貯存室，其用于貯存從冷卻單元經由供給線路供給的制冷劑；和使貯存于貯存室的制冷劑蒸發的蒸發室。貯存室經由供給線路與冷卻單元連接，經由多個管與蒸發室連通。蒸發室經由第一排出線路與冷卻單元連接，沿著載置面延伸，具有多個噴射口。噴射口設置于管的一端，配置成從管向蒸發室的內壁中位于載置面一側的導熱壁噴射制冷劑。從載置面上看時，多個噴射口在該載置面內分散地配置。

因此，從載置面上看時，用于向熱交換部的導熱壁噴射制冷劑的多個噴射口在載置面內分散地配置，因此從載置面上看時，能夠對導熱壁不論哪個部位都均勻地噴射制冷劑。因此，能夠降低在對載置于載置面的被處理體進行去熱時每個部位的偏差。

在一實施方式中，第一排出線路與在蒸發室在噴射口的下方延伸的積液區域連接。這樣，第一排出線路與蒸發室的底壁一側連接，因此能夠有效地回收殘留在底壁上的制冷劑。