[發明專利]晶棒切片后清洗裝置

在審

• 申請號: 201910096686.1
• 申請日: 2019-01-31
• 公開（公告）號: CN109622478A
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發明（設計）人: 趙延祥
• 申請（專利權）人: 寧夏銀和半導體科技有限公司
• 主分類號: B08B3/02
• 分類號: B08B3/02;B08B13/00;B28D5/00;B24B55/06
• 代理公司: 寧夏合天律師事務所 64103
• 代理人: 孫彥虎

本發明提供一種晶棒切片后清洗裝置，屬于單晶硅生產加工設備技術領域。包括固定組件及加壓清洗組件，加壓清洗組件包括左沖洗箱與右沖洗箱，左沖洗箱開設有右弧形卡槽，右沖洗箱上開設有左弧形卡槽，右弧形卡槽的弧面上沿軸向開設有至少一條右沖洗線縫，左弧形卡槽的弧面上沿軸向開設有至少一條左沖洗線縫，左沖洗箱與右沖洗箱內的清洗介質在壓力作用下由右沖洗線縫與左沖洗線縫噴出，對卡合于右弧形卡槽與所述左弧形卡槽之間的切片后的晶棒進行沖洗。該裝置能夠一次性完成對整根晶棒的沖洗，清洗效率高。高壓清洗介質能夠充分進入到切片后的晶棒的線縫中，對切片進行沖洗，清洗效果佳。解決了切片距離小，液相傳質效果弱的技術問題。

技術領域

本發明屬于單晶硅生產加工設備技術領域，具體涉及一種晶棒切片后清洗裝置。

背景技術

大尺寸半導體切片多使用多線切割，多線切割的原理是通過一根高速運動的鋼線帶動附著在鋼絲上的切割刃料對硅棒進行摩擦，從而達到切割效果，這種機制也被稱為：自由研磨切割。切割后的半導體切片如不能及時徹底的清洗，會造成砂漿液中的碳化硅和硅粉沉積到硅片表面，導致硅片臟污。

然而，多線切割后，相鄰兩片切片之間的縫隙很窄，原有的切片清洗設備，清洗噴淋時，清水不能完全進入到線縫，從而不能將硅片表面的砂漿清洗干凈，清洗效率低，清洗效果不佳，且清洗時會出現水流紋等不良現象。

發明內容

針對現有技術的不足，本發明提供一種清洗效率高、清洗效果好的晶棒切片后清洗裝置。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：

一種晶棒切片后清洗裝置，包括固定組件及加壓清洗組件，所述固定組件用于將切片后的晶棒固定于所述加壓清洗組件上；所述加壓清洗組件包括左沖洗箱與右沖洗箱，所述左沖洗箱與所述右沖洗箱上均設置有介質入口及加壓口，所述左沖洗箱開設有右弧形卡槽，所述右沖洗箱上開設有左弧形卡槽，所述右弧形卡槽與所述左弧形卡槽相對設置，以將切片后的晶棒卡合于所述右弧形卡槽與所述左弧形卡槽之間；所述右弧形卡槽的弧面上沿軸向開設有至少一條右沖洗線縫，所述左弧形卡槽的弧面上沿軸向開設有至少一條左沖洗線縫，所述左沖洗箱與所述右沖洗箱內的清洗介質在壓力作用下由所述右沖洗線縫與所述左沖洗線縫噴出，對卡合于所述右弧形卡槽與所述左弧形卡槽之間的切片后的晶棒進行沖洗。

優選地，所述左沖洗線縫與所述右沖洗線縫交錯設置，多條所述左沖洗線縫與所述右沖洗線縫位于不同的水平面上。

優選地，所述左沖洗線縫與所述右沖洗線縫的寬度為0.5mm～2mm。

優選地，所述右弧形卡槽的弧面上開設有兩條右沖洗線縫，所述左弧形卡槽的弧面上開設有兩條左沖洗線縫。

優選地，所述右弧形卡槽與所述左弧形卡槽的弧面的弧度為150°～165°。

優選地，所述右弧形卡槽與所述左弧形卡槽的上邊沿處開設有泥漿沖洗線縫。

優選地，所述晶棒切片后清洗裝置還包括基座，所述右沖洗箱固定安裝于所述基座上，所述左沖洗箱滑動連接于所述基座上。

優選地，所述固定組件包括至少一個平行設置的進給絲杠，所述進給絲杠一端螺接于所述基座上，另一端螺接于所述左沖洗箱，轉動所述進給絲杠，驅動所述左沖洗箱靠近或遠離所述右沖洗箱。

優選地，所述固定組件包括平行設置的兩個所述進給絲杠，所述左沖洗箱的兩側設置有連接耳板，所述進給絲杠貫穿通過且螺紋連接所述連接耳板，所述進給絲杠的兩端均螺接于所述基座上，且端部設置有把手。

優選地，所述基座為上端開口的箱體，包括相對設置的兩塊側立板，所述右沖洗箱的兩端固定安裝于所述側立板上，所述左沖洗箱的兩端滑動連接于所述側立板上。