[發(fā)明專利]存儲器結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910096167.5
• 申請日: 2019-01-31
• 公開（公告）號: CN111435659B
• 公開（公告）日: 2023-05-19
• 發(fā)明（設計）人: 車行遠;李世平
• 申請（專利權(quán)）人: 力晶積成電子制造股份有限公司
• 主分類號: H10B12/00
• 分類號: H10B12/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種存儲器結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

絕緣層覆硅基底，包括硅基體以及依序設置于所述硅基體上的第一介電層與硅層；

第一晶體管與第二晶體管，設置于所述硅層上；

隔離結(jié)構(gòu)，設置于所述第一晶體管與所述第二晶體管之間的所述硅層中；以及

電容器，設置于所述第一晶體管與所述第二晶體管之間，且包括：

主體部分；

第一延伸部分，自所述主體部分延伸至與所述第一晶體管的源極/漏極區(qū)；

第二延伸部分，自所述主體部分延伸至與所述第二晶體管的源極/漏極區(qū)；以及

第三延伸部分，自所述主體部分延伸穿過所述隔離結(jié)構(gòu)至所述第一介電層中，

其中所述電容器由下電極、上電極以及位于所述下電極與所述上電極之間的絕緣層構(gòu)成，且所述主體部分、所述第一延伸部分、所述第二延伸部分與所述第三延伸部分各自包括所述下電極、所述上電極以及所述絕緣層。

2.如權(quán)利要求1所述的存儲器結(jié)構(gòu)，其中所述第一晶體管為N型金屬氧化物半導體晶體管與P型金屬氧化物半導體晶體管中的一者，且所述第二晶體管為N型金屬氧化物半導體晶體管與P型金屬氧化物半導體晶體管中的另一者。

3.如權(quán)利要求1所述的存儲器結(jié)構(gòu)，還包括第二介電層，設置于所述硅層上且覆蓋所述第一晶體管與所述第二晶體管，其中所述主體部分、所述第一延伸部分、第二延伸部分以及所述第三延伸部分的一部分位于所述第二介電層中。

4.如權(quán)利要求1所述的存儲器結(jié)構(gòu)，其中所述第三延伸部分的寬度為實質(zhì)上均一的。

5.如權(quán)利要求1所述的存儲器結(jié)構(gòu)，其中所述隔離結(jié)構(gòu)的厚度與所述硅層的厚度相同。

6.如權(quán)利要求1所述的存儲器結(jié)構(gòu)，其中所述第一延伸部分的所述下電極與所述第一晶體管的源極/漏極區(qū)連接。

7.如權(quán)利要求1所述的存儲器結(jié)構(gòu)，其中所述第二延伸部分的所述下電極與所述第二晶體管的源極/漏極區(qū)連接。

8.一種存儲器結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

絕緣層覆硅基底，包括硅基體以及依序設置于所述硅基體上的第一介電層與硅層；

第一晶體管與第二晶體管，設置于所述硅層上；

隔離結(jié)構(gòu)，設置于所述第一晶體管與所述第二晶體管之間的所述硅層中；

電容器，設置于所述第一晶體管與所述第二晶體管之間，且包括：

主體部分；

第一延伸部分，自所述主體部分延伸至與所述第一晶體管的源極/漏極區(qū)；

第二延伸部分，自所述主體部分延伸至與所述第二晶體管的源極/漏極區(qū)；以及

第三延伸部分，自所述主體部分延伸穿過所述隔離結(jié)構(gòu)至所述第一介電層中，且包括第一部分與第二部分，其中所述第二部分位于所述第一介電層中，且所述第二部分的在所述硅基體上的投影面積大于所述第一部分的在所述硅基體上的投影面積；以及

襯層，設置于所述第一延伸部分與所述第三延伸部分之間、所述第二延伸部分與所述第三延伸部分之間、所述隔離結(jié)構(gòu)與所述第三延伸部分之間以及所述第一介電層與所述第三延伸部分之間，

其中所述電容器由下電極、上電極以及位于所述下電極與所述上電極之間的絕緣層構(gòu)成，且所述主體部分、所述第一延伸部分、所述第二延伸部分與所述第三延伸部分各自包括所述下電極、所述上電極以及所述絕緣層。

9.如權(quán)利要求8所述的存儲器結(jié)構(gòu)，其中所述第一晶體管為N型金屬氧化物半導體晶體管與P型金屬氧化物半導體晶體管中的一者，且所述第二晶體管為N型金屬氧化物半導體晶體管與P型金屬氧化物半導體晶體管中的另一者。

10.如權(quán)利要求8所述的存儲器結(jié)構(gòu)，還包括第二介電層，設置于所述硅層上且覆蓋所述第一晶體管與所述第二晶體管，其中所述主體部分、所述第一延伸部分、第二延伸部分以及所述第三延伸部分的一部分位于所述第二介電層中。