[發(fā)明專利]用于質(zhì)譜分析的設備以及用于分析半導體晶圓的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910095748.7 | 申請日： | 2019-01-31 |
| 公開（公告）號： | CN110231393A | 公開（公告）日： | 2019-09-13 |
| 發(fā)明（設計）人： | 金國柱;嚴基柱;尹喆祥;李康宅 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會社;延世大學校產(chǎn)學協(xié)力團 |
| 主分類號： | G01N27/62 | 分類號： | G01N27/62 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 程月;劉燦強 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導體晶圓 質(zhì)譜分析 預定區(qū)域 有機物 質(zhì)量分析器 電離質(zhì)譜 激光解吸 進料器 石墨烯 雜化物 分析 檢測 | ||
提供了一種用于質(zhì)譜分析的設備以及分析半導體晶圓的方法。所述用于質(zhì)譜分析的設備包括其上設置有包括有機物的半導體晶圓的板。混合進料器將ZnO?石墨烯雜化物提供到半導體晶圓上的預定區(qū)域。質(zhì)量分析器利用激光解吸/電離質(zhì)譜(LDI?MS)檢測預定區(qū)域中的有機物。
本申請要求于2018年3月6日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2018-0026121號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，所述韓國專利申請的公開內(nèi)容通過引用全部包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例涉及一種用于質(zhì)譜分析的設備和方法，更具體地，涉及一種用于分析半導體晶圓的方法。
背景技術(shù)
為了提高半導體裝置的性能和產(chǎn)率，可以分析可能存在的在制造半導體裝置的工藝期間產(chǎn)生的污染物。隨著半導體裝置變得越來越高度集成，分析在制造半導體裝置的工藝期間殘留在半導體晶圓的區(qū)域上的污染物會變得更加困難。
為了分析殘留在半導體裝置的一部分上的污染物，例如，可以利用基質(zhì)輔助激光解吸/電離質(zhì)譜(MALDI-MS)。MALDI-MS是用于使最少的分析物的碎片蒸發(fā)或電離的技術(shù)，并且通常被認為是可以應用于具有相對大的分子量并且對熱相對不穩(wěn)定的生物聚合物或合成聚合物的技術(shù)。然而，由于基質(zhì)干擾，會難以利用MALDI-MS分析具有低于1,000Da的分子量的分析物。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例提供一種用于質(zhì)譜分析的設備以及用于分析半導體晶圓的方法，該設備和方法可以分析殘留在半導體晶圓的區(qū)域上的具有相對低的分子量的污染物。
本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例提供一種可以分析具有低分子量的區(qū)域分析物的用于質(zhì)譜分析的設備和方法。
本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例提供一種用于制造半導體封裝件的方法，通過該方法可以提高可靠性。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，用于質(zhì)譜分析的設備包括其上設置有包括有機物的半導體晶圓的板。混合進料器將ZnO-石墨烯雜化物提供到半導體晶圓上的預定區(qū)域。質(zhì)量分析器利用激光解吸/電離質(zhì)譜(LDI-MS)檢測預定區(qū)域中的有機物。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，用于質(zhì)譜分析的設備包括其上設置有包括分析物的基底的板。混合進料器提供將要吸附在分析物上的ZnO-石墨烯雜化物，以在基底上制備混合樣品。光照射單元照射光以使分析物電離，以生成電離的分析物。離子檢測單元檢測電離的分析物以生成分析物的質(zhì)量數(shù)據(jù)。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，用于質(zhì)譜分析的方法包括準備包括有機物的半導體晶圓。該方法包括將ZnO-石墨烯雜化物提供到半導體晶圓上的預定區(qū)域。該方法包括利用激光解吸/電離質(zhì)譜(LDI-MS)檢測預定區(qū)域中的有機物。
附圖說明
通過參照附圖對本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例進行詳細描述，本發(fā)明構(gòu)思的上述和其它方面和特征將變得更加明顯，在附圖中：
圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的用于質(zhì)譜分析的設備的框圖；
圖2A和圖2B是圖1的混合進料器的圖；
圖3是ZnO、石墨烯和ZnO-石墨烯雜化物的示例性的TEM圖像的圖；
圖4是圖1的質(zhì)量分析器的圖；
圖5和圖6分別是用于示例和對比示例的示例性波長和吸光度值的曲線圖；
圖7是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的用于質(zhì)譜分析的設備的圖；
圖8示出了對比示例1至對比示例3以及示例1至示例3的激光解吸/電離質(zhì)譜的示例性光譜；
圖9示出了示例2以及示例4至示例6的激光解吸/電離質(zhì)譜的示例性光譜；
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