[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制備方法和顯示面板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910093779.9
• 申請(qǐng)日: 2019-01-30
• 公開（公告）號(hào): CN109830513B
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宮奎;段獻(xiàn)學(xué);張志海;尹洋植
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L51/56;H01L51/00
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法和顯示面板。用以解決相關(guān)技術(shù)中像素界定層采用梯形結(jié)構(gòu)所出現(xiàn)的咖啡環(huán)效應(yīng)，以及采用倒梯形結(jié)構(gòu)所出現(xiàn)的陰極層斷層的問題。一種陣列基板，包括：襯底，以及形成在襯底上的像素界定層，像素界定層將襯底劃分為多個(gè)亞像素區(qū)域；像素界定層包括從下到上依次層疊設(shè)置的第一界定層和第二界定層，第二界定層的下表面的寬度大于第一界定層的上表面的寬度，以在第一界定層沿寬度方向的兩側(cè)形成相對(duì)于第二界定層的縮進(jìn)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明實(shí)施例用于通過噴墨打印技術(shù)制作OLED顯示面板。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法和顯示面板。

背景技術(shù)

目前，采用噴墨打印技術(shù)制作OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機(jī)電致發(fā)光二極管)顯示面板和QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes，量子點(diǎn)發(fā)光二極管)顯示面板是實(shí)現(xiàn)低成本和大面積全彩化顯示的最有效途徑。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于，提供一種陣列基板及其制備方法和顯示面板，用以解決相關(guān)技術(shù)中像素界定層采用梯形結(jié)構(gòu)所出現(xiàn)的咖啡環(huán)效應(yīng)，以及采用倒梯形結(jié)構(gòu)所出現(xiàn)的陰極層斷層的問題。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，包括：襯底，以及形成在所述襯底上的像素界定層，所述像素界定層將所述襯底劃分為多個(gè)亞像素區(qū)域；所述像素界定層包括從下到上依次層疊設(shè)置的第一界定層和第二界定層，所述第二界定層的下表面的寬度大于所述第一界定層的上表面的寬度，以在所述第一界定層沿寬度方向的兩側(cè)形成相對(duì)于所述第二界定層的縮進(jìn)結(jié)構(gòu)。

可選的，所述第一界定層的厚度為0.5-1.5微米，所述第二界定層的厚度為0.5-1.0微米。

可選的，所述第二界定層的上表面形成有疏水薄膜。

可選的，所述疏水薄膜為碳氟聚合物薄膜。

可選的，所述第一界定層為氮化硅薄膜，所述第二界定層為氧化硅薄膜。

可選的，所述亞像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有發(fā)光功能層，所述發(fā)光功能層的厚度與所述第一界定層的厚度之差大于或等于0小于或等于100納米。

可選的，所述陣列基板還包括形成在所述襯底和所述像素界定層之間的陽極層，以及形成在所述發(fā)光功能層和像素界定層上的陰極層，其中，所述陽極層包括設(shè)置在每個(gè)所述亞像素區(qū)域內(nèi)的陽極。

可選的，所述陽極層包括從下到上依次層疊設(shè)置的反射金屬電極層和透明電極層；所述陰極層包括從下到上依次層疊設(shè)置的金屬電極層和透明的電極保護(hù)層。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示面板，包括如上所述的陣列基板。

第三方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的制備方法，包括：在一襯底上形成像素界定層，所述像素界定層將所述襯底劃分為多個(gè)亞像素區(qū)域；所述像素界定層包括從下到上依次層疊設(shè)置的第一界定層和第二界定層，所述第二界定層的下表面的寬度大于所述第一界定層的上表面的寬度，以在所述第一界定層沿寬度方向的兩側(cè)形成相對(duì)于所述第二界定層的縮進(jìn)結(jié)構(gòu)，所述第二界定層的上表面形成有疏水薄膜；其中，所述第一界定層的刻蝕選擇比大于所述第二界定層的刻蝕選擇比，且所述第一界定層和所述第二界定層通過同一次構(gòu)圖工藝形成。

可選的，還包括：利用碳氟化合物對(duì)所述第二界定層裸露在外的表面進(jìn)行等離子體處理，以在所述第二界定層的上表面形成疏水薄膜。