[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制備方法和顯示面板

有效

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• 申請日: 2019-01-30
• 公開（公告）號: CN109830513B
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發(fā)明（設計）人: 宮奎;段獻學;張志海;尹洋植
• 申請（專利權）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/56;H01L51/00
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底，以及形成在所述襯底上的像素界定層，所述像素界定層將所述襯底劃分為多個亞像素區(qū)域；

所述像素界定層包括從下到上依次層疊設置的第一界定層和第二界定層，所述第二界定層的下表面的寬度大于所述第一界定層的上表面的寬度，以在所述第一界定層沿寬度方向的兩側形成相對于所述第二界定層的縮進結構；

所述第一界定層的厚度為0.5-1.5微米，所述第二界定層的厚度為0.5-1.0微米；

所述亞像素區(qū)域內設置有發(fā)光功能層，所述發(fā)光功能層的厚度與所述第一界定層的厚度之差大于或等于0小于或等于100納米。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二界定層的上表面形成有疏水薄膜。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，

所述疏水薄膜為碳氟聚合物薄膜。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述第一界定層為氮化硅薄膜，所述第二界定層為氧化硅薄膜。

5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述陣列基板還包括形成在所述襯底和所述像素界定層之間的陽極層，以及形成在所述發(fā)光功能層和像素界定層上的陰極層，其中，所述陽極層包括設置在每個所述亞像素區(qū)域內的陽極。

6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，

所述陽極層包括從下到上依次層疊設置的反射金屬電極層和透明電極層；

所述陰極層包括從下到上依次層疊設置的金屬電極層和透明的電極保護層。

7.一種顯示面板，其特征在于，包括如權利要求1-6任一項所述的陣列基板。

8.一種如權利要求1-6任一項所述陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

在一襯底上形成像素界定層，所述像素界定層將所述襯底劃分為多個亞像素區(qū)域；所述像素界定層包括從下到上依次層疊設置的第一界定層和第二界定層，所述第一界定層的刻蝕選擇比大于所述第二界定層的刻蝕選擇比，且所述第一界定層和所述第二界定層通過同一次構圖工藝形成；

其中，所述第二界定層的下表面的寬度大于所述第一界定層的上表面的寬度，以在所述第一界定層沿寬度方向的兩側形成相對于所述第二界定層的縮進結構；并且，所述第一界定層的厚度為0.5-1.5微米，所述第二界定層的厚度為0.5-1.0微米；

在所述亞像素區(qū)域內形成發(fā)光功能層，所述發(fā)光功能層的厚度與所述第一界定層的厚度之差大于或等于0小于或等于100納米。

9.根據權利要求8所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，

還包括：利用碳氟化合物對所述第二界定層裸露在外的表面進行等離子體處理，以在所述第二界定層的上表面形成疏水薄膜。