[發(fā)明專利]半導體結構及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910093348.2 | 申請日： | 2019-01-30 |
| 公開（公告）號： | CN111508841A | 公開（公告）日： | 2020-08-07 |
| 發(fā)明（設計）人： | 不公告發(fā)明人 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/423;H01L29/78;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供一半導體襯底，所述半導體襯底的表面形成有源區(qū)；
在所述有源區(qū)上設置溝槽，所述溝槽的相對側邊分別形成有源/漏，所述源/漏連接到所述溝槽；
在所述溝槽中形成柵極，所述柵極與所述溝槽之間還形成有柵介質層；
部分去除所述柵極與所述源/漏重疊區(qū)域之間的所述柵介質層；
在所述柵極的上方沉積隔離層，以于所述柵極與所述源/漏重疊區(qū)域之間形成密閉的空隙層。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種半導體結構的制造方法，其特征在于，所述空隙層的底部至少不低于所述源/漏底部。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種半導體結構的制造方法，其特征在于，所述柵極的頂部高于所述源/漏的底部且低于所述溝槽的頂部。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種半導體結構的制造方法，其特征在于，所述空隙層的頂部至少不高于所述柵極的頂部。
5.根據(jù)權利要求1所述的一種半導體結構的制造方法，其特征在于，所述隔離層的頂部與所述溝槽的頂部齊平；所述隔離層的底部與所述柵極的頂部齊平。
6.根據(jù)權利要求1所述的一種半導體結構的制造方法，其特征在于，所述半導體襯底包含P型半導體襯底，所述源/漏包含N型摻雜源/漏。
7.一種半導體結構，其特征在于，包括：
半導體襯底，所述半導體襯底的表面形成有有源區(qū)；
溝槽，位于所述有源區(qū)上，所述溝槽的相對側邊分別形成有源/漏，所述源/漏連接到所述溝槽；
柵極，位于所述溝槽中；
柵介質層，位于所述柵極與所述溝槽之間，所述柵介質層的頂部低于所述柵極的頂部；
隔離層，位于所述柵極的上方；
空隙層，形成于所述柵極與所述源/漏重疊區(qū)域之間，位于所述柵介質層的上方。
8.根據(jù)權利要求7所述的一種半導體結構，其特征在于，所述空隙層的底部至少不低于所述源/漏底部。
9.根據(jù)權利要求7所述的一種半導體結構，其特征在于，所述柵極的頂部高于所述源/漏的底部且低于所述溝槽的頂部。
10.根據(jù)權利要求7所述的一種半導體結構，其特征在于，所述空隙層的頂部至少不高于所述柵極的頂部。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
