[發明專利]掩模板、柔性顯示面板及其制作方法有效
| 申請號: | 201910092372.4 | 申請日: | 2019-01-30 |
| 公開(公告)號: | CN111505897B | 公開(公告)日: | 2021-12-31 |
| 發明(設計)人: | 胡謙;楊玉清;楊凡 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/26 | 分類號: | G03F1/26;H01L27/32 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 孫之剛;陳嵐 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 模板 柔性 顯示 面板 及其 制作方法 | ||
本發明的實施例提供了一種用于在柔性顯示面板的柔性彎折區中形成溝槽的掩模板。該掩模板包括第一區、第二區,以及在第一方向上夾在第一區和第二區之間的第三區,該第三區具有與待形成的溝槽相同的圖案。第一區和第二區的透光性相同,并且與第三區的透光性相反。第一區和/或第二區的面向第三區的邊緣具有多個凸起,每一個凸起在靠近第三區的一側具有頂角,并且該頂角不大于90°。本發明的實施例還提供了一種柔性顯示面板及其制作方法。
技術領域
本發明一般地涉及顯示技術領域。更具體地,本發明涉及一種掩模板、柔性顯示面板,以及用于制作該柔性顯示面板的方法。
背景技術
有機發光二極管(OLED)顯示技術是一種利用有機功能材料在電流的驅動下產生的可逆變色來實現顯示的技術。OLED顯示器具有超輕、超薄、高亮度、大視角、低電壓、低功耗、快響應、高清晰度、抗震、可彎曲、低成本、工藝簡單、使用原材料少、發光效率高和溫度范圍寬等優點,被認為是最有發展前景的顯示技術之一。
在OLED顯示技術中,有源矩陣OLED(AMOLED)顯示技術具有自發光性、廣視角、高對比、反應速度快等優點,因此相比被動式OLED而言,具有更高的刷新率,耗能也顯著降低。這使得AMOLED非常適合工作于對功耗敏感的便攜式電子設備中。
柔性AMOLED顯示面板在AMOLED顯示面板的基礎上,通過采用柔性基板來實現一定的柔性,甚至可以像紙一樣折疊、卷曲,因而徹底顛覆了人們對傳統顯示面板的認識,是目前顯示技術領域的熱點之一。
發明內容
本發明的一方面提供了一種用于在柔性顯示面板的柔性彎折區中形成溝槽的掩模板。該掩模板包括第一區、第二區,以及在第一方向上夾在第一區和第二區之間的第三區,該第三區具有與待形成的溝槽相同的圖案。第一區和第二區的透光性相同,并且與第三區的透光性相反。第一區和/或第二區的面向第三區的邊緣具有多個凸起,每一個凸起在靠近第三區的一側具有頂角,并且該頂角不大于90°。
當采用具有上述布置的掩模板制作柔性顯示面板的彎折區中的第一溝槽和第二溝槽之一時,由于凸起的存在,所形成的第一溝槽與第二溝槽連接處的臺階的坡度角將遠遠小于60°,因此即使源漏金屬材料殘留在該臺階上,殘留的源漏金屬材料也將由于臺階的坡度角遠遠小于60°而在該臺階的拐角處斷開,從而避免相鄰的數據線由于源漏金屬殘留而短接的情況,改進顯示面板的顯示效果。
根據本發明的示例性實施例,凸起的形狀選自三角形、梯形、四邊形。
根據本發明的示例性實施例,凸起在第一方向上的尺寸不大于10微米。
根據本發明的示例性實施例,該柔性顯示面板具有沿所述第一方向延伸的多條數據線,并且每一個凸起在第二方向上的最大尺寸不大于相鄰的數據線之間的距離,其中第二方向垂直于第一方向。
根據本發明的示例性實施例,第一區和第二區的面向第三區的邊緣具有多個凸起,并且第一區的凸起與第二區的相應凸起在第一方向上正對。
本發明的另一方面提供了一種制作柔性顯示面板的方法。該柔性顯示面板包括顯示區和位于顯示區外側的柔性彎折區。該方法包括:在襯底上形成緩沖層;在緩沖層背離襯底的一側上形成絕緣層;使用第一掩模板在柔性彎折區中蝕刻掉絕緣層而形成第一溝槽;使用第二掩模板在第一溝槽中蝕刻掉緩沖層而形成第二溝槽;以及在絕緣層背離緩沖層的一側上形成源漏金屬層。源漏金屬層覆蓋第一溝槽和所述第二溝槽。第一掩模板和第二掩模板中的至少一個是上述任一種掩模板。
當上述方法制作柔性顯示面板時,由于掩模板中凸起的存在,所形成的臺階的坡度角將遠遠小于60°,因此即使源漏金屬材料在圖案化后殘留在溝槽的臺階上,殘留的源漏金屬材料也將由于臺階的坡度角遠遠小于60°而在該臺階的拐角處斷開,從而避免相鄰的數據線由于源漏金屬殘留而短接的情況,改進顯示面板的顯示效果。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





