[發(fā)明專利]一種掩膜圖案的形成方法及鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910091989.4
• 申請(qǐng)日: 2019-01-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111509043B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李慶
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;G03F1/76
• 代理公司: 上海德禾翰通律師事務(wù)所 31319
• 代理人: 侯莉

1.一種掩膜圖案的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：

沉積形成掩膜層；

在所述掩膜層上形成光阻層圖案；

經(jīng)由所述光阻層圖案的間隔，向所述掩膜層中植入掩膜層空隙填充物，所述掩膜層空隙填充物為碳、鍺、錫、鉛、鈇中的至少一種，且植入所述掩膜層空隙填充物的次數(shù)為至少一次；

經(jīng)由所述光阻層圖案的間隔，向所述掩膜層中植入掩膜層植入物，所述掩膜層植入物為硼、鎵、銦中的至少一種，且植入所述掩膜層植入物的次數(shù)為至少一次；

去除所述光阻層圖案，及所述光阻層圖案遮擋的所述掩膜層；

所述去除所述光阻層圖案采用的工藝包括干法刻蝕或濕法刻蝕；

所述去除所述光阻層圖案遮擋的所述掩膜層包括通過(guò)四甲基氫氧化銨或氨水去除所述光阻層圖案遮擋的所述掩膜層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜圖案的形成方法，其特征在于，所述掩膜層的材料為非晶硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜圖案的形成方法，其特征在于，植入所述掩膜層植入物的次數(shù)為兩次以上時(shí)，在所述掩膜層內(nèi)，由靠近所述掩膜層與所述光阻層圖案接觸的一側(cè)逐次向遠(yuǎn)離所述光阻層圖案的一側(cè)植入所述掩膜層植入物。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜圖案的形成方法，其特征在于，所述沉積形成掩膜層包括：

提供襯底，在所述襯底上依次形成第一氧化層、氮化鈦層和第二氧化層，所述第一氧化層靠近所述襯底，所述第二氧化層遠(yuǎn)離所述襯底；

在所述第二氧化層上沉積形成所述掩膜層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜圖案的形成方法，其特征在于，所述第一氧化層和第二氧化層為等離子體增強(qiáng)氧化層。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜圖案的形成方法，其特征在于，

所述掩膜層采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)的氣相沉積法或爐管沉積法沉積。

7.一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的掩膜圖案基于權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的掩膜圖案的形成方法制備得到。