[發明專利]一種掩膜圖案的形成方法及鰭式場效應晶體管

有效

• 申請號: 201910091989.4
• 申請日: 2019-01-30
• 公開（公告）號: CN111509043B
• 公開（公告）日: 2023-09-15
• 發明（設計）人: 李慶
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;G03F1/76
• 代理公司: 上海德禾翰通律師事務所 31319
• 代理人: 侯莉

1.一種掩膜圖案的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：

沉積形成掩膜層；

在所述掩膜層上形成光阻層圖案；

經由所述光阻層圖案的間隔，向所述掩膜層中植入掩膜層空隙填充物，所述掩膜層空隙填充物為碳、鍺、錫、鉛、鈇中的至少一種，且植入所述掩膜層空隙填充物的次數為至少一次；

經由所述光阻層圖案的間隔，向所述掩膜層中植入掩膜層植入物，所述掩膜層植入物為硼、鎵、銦中的至少一種，且植入所述掩膜層植入物的次數為至少一次；

去除所述光阻層圖案，及所述光阻層圖案遮擋的所述掩膜層；

所述去除所述光阻層圖案采用的工藝包括干法刻蝕或濕法刻蝕；

所述去除所述光阻層圖案遮擋的所述掩膜層包括通過四甲基氫氧化銨或氨水去除所述光阻層圖案遮擋的所述掩膜層。

2.根據權利要求1所述的掩膜圖案的形成方法，其特征在于，所述掩膜層的材料為非晶硅。

3.根據權利要求1所述的掩膜圖案的形成方法，其特征在于，植入所述掩膜層植入物的次數為兩次以上時，在所述掩膜層內，由靠近所述掩膜層與所述光阻層圖案接觸的一側逐次向遠離所述光阻層圖案的一側植入所述掩膜層植入物。

4.根據權利要求1所述的掩膜圖案的形成方法，其特征在于，所述沉積形成掩膜層包括：

提供襯底，在所述襯底上依次形成第一氧化層、氮化鈦層和第二氧化層，所述第一氧化層靠近所述襯底，所述第二氧化層遠離所述襯底；

在所述第二氧化層上沉積形成所述掩膜層。

5.根據權利要求4所述的掩膜圖案的形成方法，其特征在于，所述第一氧化層和第二氧化層為等離子體增強氧化層。

6.根據權利要求4所述的掩膜圖案的形成方法，其特征在于，

所述掩膜層采用等離子體增強化學的氣相沉積法或爐管沉積法沉積。

7.一種鰭式場效應晶體管，其特征在于，所述鰭式場效應晶體管的掩膜圖案基于權利要求1-6任意一項所述的掩膜圖案的形成方法制備得到。