[發(fā)明專利]芯片的測試方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910089977.8 | 申請日： | 2019-01-30 |
| 公開（公告）號： | CN109613420B | 公開（公告）日： | 2021-04-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 孫黎瑾 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/28 | 分類號： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 芯片 測試 方法 | ||
1.一種芯片的測試方法，針對無flash寄存器的獨(dú)立IP芯片，進(jìn)行不同溫度下的trimming 的dac值寫入，其特征在于：
第一步，在某一溫度下，對晶圓上的芯片進(jìn)行模擬量的個性化trimming；
第二步，將trimming得到的dac值及對應(yīng)的坐標(biāo)記錄在指定文件中；
第三步，升/降到其他的指定溫度，調(diào)用所述的指定文件，將相應(yīng)的坐標(biāo)對應(yīng)的個性化trimming的dac值進(jìn)行重新載入；
第四步，將載入的個性化trimming 的dac值設(shè)置進(jìn)芯片。
2.如權(quán)利要求1所述的芯片的測試方法，其特征在于：所述第一步中，首次進(jìn)行的trimming是在某一指定的基準(zhǔn)溫度下進(jìn)行。
3.如權(quán)利要求1所述的芯片的測試方法，其特征在于：所述的坐標(biāo)是在當(dāng)前trimming的die在晶圓中的位置信息。
4.如權(quán)利要求1所述的芯片的測試方法，其特征在于：所述的trimming及將dac值寫入指定的文件，以及調(diào)用dac值，是通過測試程序來完成。
5.如權(quán)利要求1所述的芯片的測試方法，其特征在于：所述的第三步中，調(diào)整到其他的指定溫度時，重新調(diào)用指定文件,查找到對應(yīng)坐標(biāo)的die的dac值，進(jìn)行重新載入。
6.如權(quán)利要求1所述的芯片的測試方法，其特征在于：所述的第四步中，還包括完成不同溫度下的模擬量的評價。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司，未經(jīng)上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910089977.8/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
