[發(fā)明專利]一種激光輔助加熱退火的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910085905.6 | 申請(qǐng)日: | 2019-01-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111489968B | 公開(公告)日: | 2023-07-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 安海巖;于海;王威;王虎 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢銳晶激光芯片技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/324 | 分類號(hào): | H01L21/324;H01L21/268 |
| 代理公司: | 北京眾達(dá)德權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11570 | 代理人: | 劉杰 |
| 地址: | 430000 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 激光 輔助 加熱 退火 方法 | ||
本發(fā)明提供了一種激光輔助加熱退火的方法,包括:根據(jù)所述加熱退火裝置內(nèi)的待退火材料,確定激光的特定波長,選擇激光器;根據(jù)所述待退火材料、所述加熱區(qū)面積,獲得所述待退火材料的退火要求;根據(jù)所述退火要求、所述特定波長的激光光束,調(diào)整所述激光器與所述加熱區(qū)的位置關(guān)系及光學(xué)鏡組角度;根據(jù)所述退火要求,控制所述激光器發(fā)射所述特定波長的激光光束,所述激光光束通過所述光學(xué)鏡組,使所述激光光束聚焦于所述加熱區(qū)并達(dá)到所述退火要求。解決對(duì)微小區(qū)域面積的退火不能進(jìn)行特定精細(xì)分區(qū)加熱的技術(shù)問題。實(shí)現(xiàn)自由空間區(qū)域的精密選擇,針對(duì)不同退火材料選擇合適激光器,通過激光聚焦直接加熱的方式在退火溫度及退火速率提升的技術(shù)效果。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種激光輔助加熱退火的方法。
背景技術(shù)
退火作為一種普遍采用的工藝技術(shù),廣泛應(yīng)用于材料改性及工藝優(yōu)化,目前主要使用的設(shè)備是(快速)熱退火爐(管爐),通常將被加熱材料或者器件整體置于腔體(管爐)中,采用熱電偶或者鹵素?zé)魧?duì)材料進(jìn)行加熱,加熱方式為熱輻射或者光輻照,只能對(duì)材料或者器件進(jìn)行整體加熱,同時(shí)存在退火溫度存在上限、冷卻時(shí)間長等瓶頸限制,需設(shè)計(jì)一種快速加熱,快速冷卻,同時(shí)對(duì)退火區(qū)域位置可控,自由選擇的方法來解決上述問題。
但本發(fā)明申請(qǐng)人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在如下技術(shù)問題:
現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)于微小區(qū)域面積的退火,不能進(jìn)行特定精細(xì)分區(qū)加熱,存在影響產(chǎn)品性能和生產(chǎn)效率的技術(shù)問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種激光輔助加熱退火的方法,解決了現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)于微小區(qū)域面積的退火,不能進(jìn)行特定精細(xì)分區(qū)加熱,存在影響產(chǎn)品性能和生產(chǎn)效率的技術(shù)問題。
鑒于上述問題,本發(fā)明提供了一種激光輔助加熱退火的方法,所述方法應(yīng)用于一加熱退火裝置,所述裝置包括激光器、光學(xué)鏡組,所述方法包括:根據(jù)所述加熱退火裝置內(nèi)的待退火材料,確定激光的特定波長,選擇所述特定波長的激光光束對(duì)應(yīng)的所述激光器;獲得所述待退火材料的加熱區(qū)的位置、面積;根據(jù)所述待退火材料、所述加熱區(qū)面積,獲得所述待退火材料的退火要求;根據(jù)所述退火要求、所述特定波長的激光光束,調(diào)整所述激光器與所述加熱區(qū)的位置關(guān)系及所述光學(xué)鏡組的角度;根據(jù)所述退火要求,控制所述激光器發(fā)射所述特定波長的激光光束,所述激光光束通過所述光學(xué)鏡組,使所述激光光束聚焦于所述加熱區(qū)并達(dá)到所述退火要求。
優(yōu)選的,所述根據(jù)所述待退火材料、所述加熱區(qū)面積,獲得所述待退火材料的退火要求,所述退火要求包括退火時(shí)間、加熱溫度、加熱光斑面積。
優(yōu)選的,所述根據(jù)所述退火要求,控制所述激光器發(fā)射所述特定波長的激光光束,所述激光光束通過所述光學(xué)鏡組,使所述激光光束聚焦于所述加熱區(qū)并達(dá)到所述退火要求,包括:根據(jù)所述退火要求,獲得所述退火時(shí)間、加熱溫度;控制所述激光器發(fā)射所述特定波長的激光光束通過所述光學(xué)鏡組聚焦于所述加熱區(qū)內(nèi),持續(xù)加熱所述退火時(shí)間后,使所述加熱區(qū)的溫度達(dá)到所述加熱溫度。
優(yōu)選的,所述根據(jù)所述加熱退火裝置內(nèi)的待退火材料,確定激光的特定波長,包括:根據(jù)所述待退火材料,選擇所述待退火材料吸收率高的激光波長作為所述特定波長激光。
優(yōu)選的,所述加熱區(qū)為微米量級(jí)。
優(yōu)選的,所述激光器為直接半導(dǎo)體激光器或以半導(dǎo)體激光器為泵浦源的固體激光器。
本申請(qǐng)實(shí)施例中的上述一個(gè)或多個(gè)技術(shù)方案,至少具有如下一種或多種技術(shù)效果:
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





