[發明專利]一種激光輔助加熱退火的方法有效
| 申請號: | 201910085905.6 | 申請日: | 2019-01-29 |
| 公開(公告)號: | CN111489968B | 公開(公告)日: | 2023-07-25 |
| 發明(設計)人: | 安海巖;于海;王威;王虎 | 申請(專利權)人: | 武漢銳晶激光芯片技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/324 | 分類號: | H01L21/324;H01L21/268 |
| 代理公司: | 北京眾達德權知識產權代理有限公司 11570 | 代理人: | 劉杰 |
| 地址: | 430000 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 激光 輔助 加熱 退火 方法 | ||
1.一種激光輔助加熱退火的方法,其特征在于,所述方法應用于一加熱退火裝置,所述裝置包括激光器、光學鏡組,所述方法包括:
根據所述加熱退火裝置內的待退火材料,確定激光的特定波長,選擇所述特定波長的激光光束對應的所述激光器;
獲得所述待退火材料的加熱區的位置、面積;
根據所述待退火材料、所述加熱區面積,獲得所述待退火材料的退火要求;
根據所述退火要求、所述特定波長的激光光束,調整所述激光器與所述加熱區的位置關系及所述光學鏡組的角度;
根據所述退火要求,控制所述激光器發射所述特定波長的激光光束,所述激光光束通過所述光學鏡組,使所述激光光束聚焦于所述加熱區并達到所述退火要求;
其中,所述根據所述待退火材料、所述加熱區面積,獲得所述待退火材料的退火要求,所述退火要求包括退火時間、加熱溫度、加熱光斑面積;
其中,所述根據所述加熱退火裝置內的待退火材料,確定激光的特定波長,包括:
根據所述待退火材料,選擇所述待退火材料吸收率高的激光波長作為所述特定波長激光;
所述根據所述退火要求,控制所述激光器發射所述特定波長的激光光束,所述激光光束通過所述光學鏡組對所述激光光束進行多次傳輸實現對所述待退火材料三維空間位置的精確選擇,使所述激光光束聚焦于所述加熱區并達到所述退火要求,包括:
控制所述激光器發射所述特定波長的激光光束通過所述光學鏡組聚焦于所述加熱區內,持續加熱所述退火時間后,使所述加熱區的溫度達到所述加熱溫度。
2.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述加熱區為微米量級。
3.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述激光器為直接半導體激光器或以半導體激光器為泵浦源的固體激光器。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





